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DMN10H220LQ-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
3738(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.615按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.615
--
200+
￥0.424
--
1500+
￥0.385
--
3000+
￥0.36
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN10H220LQ-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 401pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN10H220LQ-7手册
无数据
DMN10H220LQ-7概述
DMN10H220LQ-7 产品概述
产品概述
DMN10H220LQ-7 是由美台半导体（DIODES）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有额定电压为 100V、连续漏极电流为 1.6A 的特性。这款 MOSFET 采用了 SOT-23-3 封装，设计紧凑，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合于空间受限的应用场合。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 100V，足以满足大多数中等电压应用的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 可承载 1.6A 的连续漏极电流，显著提高了其在散热条件良好的环境中的应用灵活性。
- 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的栅源电压下，其导通电阻最大为 220 毫欧（@ 1.6A），这是一个相当低的值，能够有效降低功率损耗。
- 驱动电压: 最佳驱动电压范围为 4.5V 至 10V，这一特性增加了与不同驱动电路的兼容性，为用户提供了设计的灵活性。
- 开关特性: 输入电容（Ciss）在 25V 下最大为 401pF，栅极电荷（Qg）在 10V 下最大为 8.3nC。这些参数对高频率的开关应用非常关键，使得此 MOSFET 能够在快速开关条件下表现出良好的性能。
应用领域
DMN10H220LQ-7 适合广泛的应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
- 开关电路: 适用于开关电源、马达驱动、负载开关等。
- 工业控制: 在工业自动化设备中，作为开关控制元件。
- 消费电子: 计算机、智能手机及其周边设备的电源调节。
- 汽车电子: 在电动车及其他汽车电子系统中，作为功率控制元件。
热特性和安全性
该 MOSFET 的最大功率耗散为 1.3W，因此在实际应用中设计时需考虑散热管理，以确保 IC 运作在安全温度范围内。工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其适应各种复杂的工作环境。这一特性使得 DMN10H220LQ-7 在高温或恶劣条件下依旧能够保持良好的工作稳定性。
封装与安装
DMN10H220LQ-7 采用 SOT-23-3 的封装，具有优良的散热性能及较小的占板面积，适应现代电子设备对小型化的需求。其表面贴装设计（SMD）极大地简化了安装过程，有助于在自动化生产线上提升效率。
总结
作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，DMN10H220LQ-7 在多种电源管理和开关应用中展现出卓越性能。其低导通电阻、适中的漏源电压以及宽广的工作温度范围，使得该器件在性能与可靠性方面均具竞争力。针对不同的市场需求，该产品不仅适合高频率、高效能的电路设计，也为设计工程师提供了灵活的使用空间和多样化的应用选择。DMN10H220LQ-7 无疑是提高电路工作效率、减少能量损耗的理想选择。