DMP2900UV-13
DMP2900UV-13参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 49pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMP2900UV-13手册
DMP2900UV-13概述
DMP2900UV-13 产品概述
概述
DMP2900UV-13 是由 DIODES（美台）出品的一款高性能双 P 沟道场效应管 (MOSFET)。该器件在小型化和高效能方面表现出色，适用于各种现代电子应用。DMP2900UV-13 主要用于开关和线性应用，其设计优化了电源管理、信号放大和开关回路等多种场景。
主要参数
- FET 类型: 双 P 沟道
- 最大漏源电压 (Vds): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 850mA @ 25°C
- 导通电阻 (Rds(on)): 750毫欧 @ 430mA，4.5V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 0.7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 最大 49pF @ 16V
- 功率最大值: 500mW（在环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
- 封装类型: SOT-563/SOT-666（以 SOT-563 为主）
功能与应用
DMP2900UV-13 具有多个优势，适用于以下应用场景：
电源管理：得益于其低导通电阻和高电流处理能力，该MOSFET特别适合在DC-DC转换器、线性调节器及电流回路中进行开关和分配电源。
信号放大：该器件的低输入电容使其在射频（RF）应用中表现出色，能够在电信和数据通信设备中高效放大微弱信号。
开关应用：其较高的工作温度范围使DMP2900UV-13能够在工业环境中稳定工作，适合用于各种开关电路，如继电器驱动、开关电源等。
电池驱动设备：在便携式和移动电源产品中，DMP2900UV-13 以其低功耗特性，帮助延长电池使用时间，是电池管理系统及电池保护电路的优选材料。
封装与安装
DMP2900UV-13 采用 SOT-563 封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，使其能够满足空间受限的设计要求。表面贴装型设计简化了自动化生产流程，便于在现代电子设备的印刷电路板（PCB）上实现高效的组装与焊接。该封装的低导热阻抗，确保了元件在高负载下的良好散热表现。
结论
综上所述，DMP2900UV-13 是一款非常可靠的双 P 沟道 MOSFET，适用于众多电子应用。其高性能参数、优越的热特性及多样化的应用场景，使得 DMP2900UV-13 在行业中占据了重要地位。无论是在电源管理、信号处理还是开关电路中，它都展现了卓越的性能，是设计工程师在寻找高效能、可靠性的电子元器件时的理想选择。在日益复杂和紧凑的电子设计环境中，DMP2900UV-13 代表了现代 MOSFET 技术的先进水平，相信在未来的应用中，该器件将继续扮演至关重要的角色。