D5V0F2U3LP08-7B 产品实物图片
D5V0F2U3LP08-7B 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D5V0F2U3LP08-7B

商品编码: BM0127477591
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08063
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Diode: TVS array
库存 :
19699(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.632
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.632
--
100+
¥0.435
--
500+
¥0.396
--
2500+
¥0.366
--
5000+
¥0.342
--
10000+
¥0.32
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

D5V0F2U3LP08-7B参数

类型齐纳单向通道2
电压 - 反向断态(典型值)5.5V(最大)电压 - 击穿(最小值)6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)12V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)1.5A(8/20µs)
电源线路保护应用通用
不同频率时电容0.5pF @ 1MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳3-XFDFN
供应商器件封装X2-DFN0806-3

D5V0F2U3LP08-7B手册

empty-page
无数据

D5V0F2U3LP08-7B概述

D5V0F2U3LP08-7B 产品概述

一、产品概述

D5V0F2U3LP08-7B 是一款由美台(DIODES)公司生产的齐纳二极管阵列。该器件专为电压过压保护而设计,提供了可靠的解决方案以保护敏感电子组件免受瞬态电压和静电放电(ESD)等危害。其优秀的反向电压特性和较高的尖峰脉冲电流承受能力使其在各种电子应用中得到了广泛应用。

二、主要特点

  1. 齐纳二极管设计:D5V0F2U3LP08-7B 采用齐纳二极管结构,能够在特定电压下提供稳压功能,用于对输入信号的保护。
  2. 反向电压:该二极管的反向断态电压典型值为5.5V,最大可达6V,当电压达到这一水平时,器件会开始导通并限制过压。
  3. 击穿电压:其最小击穿电压为6V,确保在极端情况下持续工作,保护下游元器件。
  4. 箝位电压:在不同的脉冲电流下,D5V0F2U3LP08-7B 的最大电压箝位值为12V,能够有效地防止电流过载导致的损坏。
  5. 脉冲电流能力:该器件能够承受的峰值脉冲电流为1.5A(在10/1000µs时的测试条件下),保证其在瞬态浪涌条件下的可靠性。
  6. 高频特性:在1MHz频率条件下,该器件的电容值为0.5pF,有助于提供良好的高频响应,适用于高速信号的保护。
  7. 广泛的工作温度范围:其工作温度范围为-55°C至150°C,适应了极端环境条件下的应用需求。
  8. 紧凑的封装:D5V0F2U3LP08-7B 采用表面贴装型(SMD)X2-DFN0806-3封装,尺寸小巧,有利于提高PCB布局的灵活性和密度。

三、典型应用

D5V0F2U3LP08-7B 作为一款通用的电压保护元件,适用于以下应用场合:

  • 消费电子:如手机、平板电脑、便携式设备等,提供抗静电和过压保护。
  • 工业设备:用于工业控制和自动化系统,防止突发电压对传感器和控制电路的损害。
  • 通信设备:在网络设备、基站和通信模块中,保护信号接口和数据传输通路不受损害。
  • 汽车电子:在汽车电子控制单元中为传感器和电动执行器提供保护,以应对高电压瞬态和电磁干扰。

四、结论

D5V0F2U3LP08-7B 是一款多功能的齐纳二极管阵列,采用高性能材料和先进的制造工艺,具有卓越的电气特性与可靠性。无论是在高频信号环境还是极端气候条件下,它都能充分发挥作用,保护关键的电子设备。凭借其出色的性能和广泛的应用领域,D5V0F2U3LP08-7B 是现代电子设计中不可或缺的保护元件。