晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
产品名称: DDA114EH-7
类型: 数字晶体管
品牌: DIODES (美台)
封装: SOT-563
DDA114EH-7是一种高性能的数字晶体管,它采用了双PNP结构,旨在满足各种数字电路中对效率、可靠性和紧凑设计的需求。该元件具备出色的电流和电压特性,适合应用于要求较高的开关和放大电路中。具体参数细节使其适合于现代电子设备的应用,如通信设备、智能家居、便携式设备以及各种消费电子产品。
晶体管类型: 该产品包含2个PNP型晶体管,以实现更好的集成度和性能优化。
最大集电极电流 (Ic): 设计为能够承受最大100mA的电流,确保在高负载时依然维持稳定的操作。
集射极击穿电压 (Vce): 允许的理论最大值为50V,提供良好的电压承受能力,适合于多种电压条件下的工作环境。
功率消耗: 最大功率为150mW,适合端设备有限功耗的需求。
频率特性: 最大跃迁频率达到250MHz,使其在快速开关操作中表现出色,适合数字应用及高频电路设计。
电流增益 (hFE): 在不同的工作条件下,该器件的直流电流增益(hFE)最小为30,具有良好的信号放大能力,这对于优化电路性能至关重要。
基极和发射极电阻器: R1(基极电阻)与R2(发射极电阻)均为10kΩ,这有助于实现适当的预偏压条件,从而确保晶体管在合适的区域工作,提高线性特性和效率。
饱和压降: 在500μA的基极电流和10mA的集电极电流下,最大饱和压降为300mV,降低了功耗及热量产生,有助于整体电路的高效运行。
安装方式: 作为一种表面贴装型元件(SMD),DDA114EH-7易于在自动化生产过程中进行焊接,节省了人力成本,并降低了组件的整体体积,使其适应现代紧凑型电路板设计。
DDA114EH-7的设计及性能特性使其在多个领域都能发挥重要作用,包括:
通信设备: 用于信号放大与开关电路,为信号处理提供可靠的支持。
消费电子: 在智能手机、平板电脑及可穿戴设备中,作为开关元件以控制电源管理和功能模块。
工业控制: 在自动化设备和传感器应用中,用于实现快速开关与精确控制。
LED驱动: 适用于LED照明中,控制灯光的开关与调节。
DDA114EH-7作为一款数字PNP晶体管,其极具竞争力的性能使其在现代电子应用中占据了重要的地位。凭借其高频特性、良好的功率管理能力以及小巧的表面贴装封装,这款产品将为设计师提供更大的灵活性与创新空间,助力各种电路设计的高效实现。随着电子技术的不断发展,这款产品将继续发挥其不可替代的价值,推动各类设备的性能提升及多样化应用。