DMN62D1LFDQ-7
DMN62D1LFDQ-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 100mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .55nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN1212-3 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN |
DMN62D1LFDQ-7手册
DMN62D1LFDQ-7概述
DMN62D1LFDQ-7 产品概述
概述
DMN62D1LFDQ-7 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应管（MOSFET），由美台半导体（DIODES）公司设计和制造。该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电子电路中，具有出色的电流控制特性及低导通电阻，广泛应用于电源管理、LED 驱动、开关电源等领域。
主要参数
FET 类型：N 通道
DMN62D1LFDQ-7 采用 N 通道 MOSFET 结构，适合各种应用中的开关功能和放大功能，通常用于负载驱动等。最大漏源电压（Vdss）：60V
该器件能够承受最高 60V 的漏源电压，在一定范围内为电路提供良好的电气隔离，避免因电压过高而导致的损坏。连续漏极电流（Id）：400mA
在25°C下，DMN62D1LFDQ-7 的连续漏极电流达到 400mA，使其能够满足多种小功率应用的需求。导通电阻（Rds On）：1.5V 至 4V
该器件在不同的 Vgs 下，其导通电阻表现优异，最大值为 2 欧姆 (在 Id = 100mA，Vgs = 4V时)，确保功耗最小化并提高效率。栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA
栅极阈值电压的低值使得该器件在较低的驱动电压下就能够正常工作，便于与低电压系统集成。栅极电荷（Qg）：.55nC @ 4.5V
该器件的栅极电荷特性使其在开关频率较高的应用中也能保持较低的开关损耗。工作温度范围：-55°C ~ 150°C
其宽广的工作温度范围使 DMN62D1LFDQ-7 特别适合环境条件极端的应用，如汽车电子和工业控制系统。封装：U-DFN1212-3
DMN62D1LFDQ-7 采用表面贴装型封装，具有小型化及优良的散热性能，以满足现代电路对空间和散热的严格要求。
应用领域
DMN62D1LFDQ-7 的高效能和高可靠性使其非常适合以下应用：
- 电源管理: 用于开关电源中的开关元件，能够有效提升电源的工作效率。
- LED 驱动: 在LED驱动电路中，该 MOSFET 可用作高效的开关元件，实现亮度调节与恒流驱动。
- 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，适合在汽车电源管理系统中使用。
- 工业控制: 在工业设备的驱动电路中，DMN62D1LFDQ-7 可作为负载开关，提供平稳、高效的电流控制。
总结
DMN62D1LFDQ-7 作为 N 通道 MOSFET 具有众多优势，包括高漏源电压、低导通电阻和良好的温度稳定性，适合各种电子应用中的电源管理和负载控制。根据其技术规格和性能参数，工程师可以将其纳入多种设计方案中，以提高系统的整体性能和可靠性。在选择合适的 MOSFET 时，DMN62D1LFDQ-7 是一个值得考虑的优质选择。