DMN2024U-7

DMN2024U-7 产品概述

产品简介

DMN2024U-7 是一种高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），其主要应用于各种功率管理、电源开关和电子电路的控制系统。其特点是工作电压范围广、导通电阻低、适应性强，尤其适合在要求较高效率的电子元件中使用。该器件由美台（DIODES）公司制造，采用 SOT-23 封装，具有小型化和易于集成的优势，特别适合空间有限的应用场景。

基本参数

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压 (Vdss)：20V
• 最大工作电流 (Id)：6.8A（在 25°C 环境下）
• 驱动电压：1.8V 和 4.5V 时的 Rds On 分别为最小导通电阻条件
• 导通电阻 (Rds(on))：在 6.5A 和 4.5V 驱动条件下，最大值为 25 毫欧
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 900mV（在 250μA 流量下）
• 栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 驱动条件下，最大值为 7.1nC
• 栅极源电压最大值（Vgs）：±10V
• 输入电容 (Ciss)：在 10V 时最大值为 647pF
• 功率耗散（P）：最大值为 800mW
• 工作温度：-55°C 至 150°C（绝对最大结温 TJ）
• 封装类型：表面贴装 (SMD)
• 封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

技术优势

1. 高效率：DMN2024U-7 的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高负载条件下，电能传输损耗降至最低。这使其在电源管理应用中表现出色，尤其是在电力转换器、DC-DC 转换器和高频开关电源中。

2. 宽电压及温度适应性：该器件的漏源电压支持高达 20V，即使在高电流作业情况下，也能保持稳定表现。此外，广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使得 DMN2024U-7 特别适合极端环境条件下的应用，如汽车电子和工业控制系统。

3. 紧凑的表面贴装设计：SOT-23 封装使 DMN2024U-7 的尺寸小巧，非常适合空间有限的电路板设计。这种小型化特性有助于设计师在保证性能的同时，节省电路板的物理空间。

应用领域

DMN2024U-7 可广泛应用于以下领域：

• 电源供应器：包括开关电源、AC/DC 转换器、DC/DC 转换器。
• 电动机驱动：适用于直流电动机和步进电动机驱动电路。
• 电子负载开关：用于智能开关、负载管理。
• 电池管理系统：在电池充放电过程中，对电流的控制和保护。
• 汽车电子：如电动助力转向、车载控制和电源分配。

总结

DMN2024U-7 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电压和电流处理能力，以及紧凑的 SOT-23 封装，广泛适用于高效能需求的电子设备。其稳定的工作特性和极端环境适应性使得它在多个行业的应用成为可能，是现代电子工程中不可或缺的元件之一。选择 DMN2024U-7，意味着选择高性能与高可靠性的结合，是智能电源管理和控制系统的理想解决方案。