P4SMAJ85ADF-13

产品概述：P4SMAJ85ADF-13 TVS二极管

概要

P4SMAJ85ADF-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能齐纳二极管，专为电压瞬态抑制（TVS）应用设计，提供出色的过电压保护。其具有较高的反向击穿电压和脉冲承受能力，适用于需要可靠性和高性能的电源线路保护和信号线保护方案。

关键参数

• 制造商：Diodes Incorporated
• 类型：齐纳二极管 / 瞬态电压抑制器 (TVS)
• 反向断态电压（V_R）：典型值为 85V
• 击穿电压（V_B）：最小值为 94.4V
• 最大电压-箝位（V_C）：在不同 Ipp 时最大为 137V
• 峰值脉冲电流（I_pp）：最大可达 2.9A（在 10/1000µs 脉冲下）
• 峰值功率（P_pp）：承受能力高达 400W
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 安装类型：表面贴装型 (SMD)
• 封装类型：2-SMD，扁平引线 D-Flat
• 单向通道：1

应用场景

P4SMAJ85ADF-13 适用于各种应用场景，特别是在以下二极管保护领域表现突出：

1. 消费电子：保护手机、计算机及其他便携式设备免受瞬态电压的侵害，确保设备操作安全。
2. 汽车电子：在汽车电气系统中提供瞬态电压抑制，保护敏感的电子控制模块（ECM）和传感器。
3. 通信设备：保护数据线与信号传输线，防止因电压尖峰而导致的信号失真。
4. 工业设备：在工业自动化和控制设备中，确保信息系统和电机驱动电路的稳定性和可靠性。

特点与优势

• 高可靠性：工作温度范围宽广，使其在极端环境下依然能保持良好的性能，适应性强。
• 高脉冲功率处理能力：能够承受高达 400W 的峰值功率，适合于各种高能瞬态事件。
• 紧凑封装：D-Flat 扁平引线封装设计使其更适合于表面贴装，节省空间并提高布局灵活性。
• 单向设计：为特定应用提供的单向通道，确保其在反向电压时不会启动，避免不必要的电流浪费。

选择指南

在选择 P4SMAJ85ADF-13 作为电压保护解决方案时，用户需确保其工作环境中的电压要求与该元件的击穿电压相匹配。此外，因其所承受的脉冲电流和功率指标较高，使其在高峰值瞬态的情况下依然能够稳定工作。在电路设计时，合理配置该齐纳二极管可有效地抑制高压冲击，增强系统的稳定性与可靠性。

总结

P4SMAJ85ADF-13 是一种具有高效能、可靠性和空间适应性的齐纳二极管，适合广泛应用于多个电子设备和系统中，为用户提供有效的电压瞬态保护。无论是在对抗外部电压冲击的消费类电子产品，还是在要求严格的汽车和工业环境中，其优异的性能都可以确保电路的安全与有效运行。