DSS5220TQ-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS5220TQ-13

商品编码: BM0127477487
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 20V 2A PNP SOT-23-3
库存 :
10000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.994
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.994
--
100+
¥0.686
--
500+
¥0.623
--
2500+
¥0.577
--
5000+
¥0.539
--
10000+
¥0.504
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS5220TQ-13参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 100mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)225 @ 100mA,2V
功率 - 最大值600mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DSS5220TQ-13手册

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DSS5220TQ-13概述

DSS5220TQ-13 产品概述

产品简介

DSS5220TQ-13 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),专为需要高电流密度和优良频率特性的电子应用而设计。采用SOT-23封装,具有优秀的散热性能和较小的尺寸,使得DSS5220TQ-13在许多现代电子设备中均具有广泛的应用潜力。其最大集电极电流可达2A,极适合用于功率开关和放大电路。

关键参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 2A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce(max)): 20V
  • Vce饱和压降 (Vce(sat)): 250mV @ 100mA,2A
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • 最小DC电流增益 (hFE): 225 @ 100mA,2V
  • 最大功率耗散: 600mW
  • 跃迁频率: 100MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 供应商器件封装: SOT-23-3

结构特性

DSS5220TQ-13采用SOT-23-3封装的设计,这种表面贴装封装因其占用空间小和安装便捷而受到广泛青睐。相对于传统的直插式封装,SOT-23封装能够有效减少电路板的占用面积,并在高密度组装中表现出色。其体积小、重量轻,适用于高集成度的现代电子电路。

应用场景

DSS5220TQ-13可广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电源: 在高效电源转换器中作为开关元件,提供快速的开、关切换。
  • 功率放大器: 在音频和射频应用中使用,提供能量放大功能,增强信号强度。
  • 模拟信号处理: 在音频增强器与传感器电路中实现信号放大。
  • 电子开关: 在低功耗的信号开关和控制电路中实现高效的信号控制。
  • 汽车电子: 在汽车的照明、门锁及安全系统中作为控制元件。

工作特性

DSS5220TQ-13具有高达2A的集电极电流能力,能够适应各类需要较高电流的应用场景。Vce饱和压降低至250mV,确保在开关状态时功耗最小化,提升电路的整体效率。DC电流增益(hFE)高达225,使得其在信号放大时表现出色,适合于多种信号处理需求。

该器件的跃迁频率高达100MHz,适合高速开关应用,能够在较高频域内稳定工作。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)也使得DSS5220TQ-13可以在严苛的环境条件下可靠运行,确保电子设备的稳定性与耐用性,特别适合航空、军用及工业控制等重载环境。

总结

DSS5220TQ-13是一款集高性能与可靠性于一体的PNP三极管,凭借其优异的电流处理能力、低饱和压降及高增益特性,成为电子设计中的一个理想选择。无论是在电源管理、信号放大,还是在高密度的电路板设计中,DSS5220TQ-13都能提供出色的解决方案,助力设计工程师应对各类复杂挑战。选择DSS5220TQ-13,您将获得一种能够应对未来技术潮流的强大工具。