功率(Pd) | 740mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 39.5pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 73mΩ@10V,3.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.6nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 305.8pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 3.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
DMN3110SQ-7 是一款由 DIODES(美台)制造的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用 SOT-23-3 封装。它具有740毫瓦的功耗能力,工作电压可达30V,最大持续电流为2.5A。这款 MOSFET 适合在需要高效率和小体积的电子应用中使用,因其具备良好的电气特性和稳定的工作性能。
高功耗密度:740mW 的功耗能力使 DMN3110SQ-7 在许多应用中能够以较高的功率效率运行。MOSFET 的设计考虑了最佳散热性能,能够在较小的空间内提供所需的功率。
电压与电流规格:DMN3110SQ-7 的工作电压可达30V,最大持续电流为2.5A,适合用于中等负载应用中,尤其是在低至中等电压的电源管理与开关电路中。
小型封装:该器件采用 SOT-23 封装,具有较小的外形尺寸,适合空间有限的电子设备,如智能手机、便携设备和其他消费电子产品。这使得设计工程师在电路板布局时可以更加灵活。
良好的开关性能:该 MOSFET 具有较低的 R_DS(on)(导通电阻),有助于降低开关损耗,提高整体电能转换效率。这使得 DMN3110SQ-7 在开关电源和高频开关应用中表现出色。
高可靠性:作为DIODES品牌的产品,DMN3110SQ-7经过严格的质量控制,其在各种环境条件下表现出较高的可靠性,广泛适用于工业和消费电子等领域。
DMN3110SQ-7 MOSFET 的应用场景包括但不限于以下几种:
电源管理:适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器和其他电源管理电路,能够用作开关元件,有效提高电源的效率。
电机驱动:可用于电机驱动应用中,例如小型直流电动机的控制,为其提供瞬态响应快速且高效的开关性能。
信号开关:在音频设备和无线通信设备中,DMN3110SQ-7 也可用作信号开关,确保信号通道的高效传输。
LED 驱动:MOSFET 适合用于 LED 灯的驱动电路中,能够实现精准的亮度调节和功耗管理。
电子消费品:由于其小型化设计,特别适合应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等现代消费电子产品中,支持复杂电源管理功能。
DMN3110SQ-7 为设计工程师提供了一种高效、可靠的小型 N 沟道 MOSFET 解决方案。其高功率密度、良好的开关性能以及小巧的封装使其在多种应用场景中都具备了突出的竞争力。随着电子产品对高性能元件需求的不断增加,DMN3110SQ-7 将在电源管理、开关应用和消费电子领域中发挥重要作用。无论在研发新产品还是改进现有设计时,选择 DMN3110SQ-7 都将为权限和效率带来显著提升。