制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | SMAJ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
类型 | 齐纳 | 电压 - 反向断态(典型值) | 12V |
电压 - 击穿(最小值) | 13.3V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 19.9V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 30.2A | 功率 - 峰值脉冲 | 600W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 | 供应商器件封装 | D-Flat |
单向通道 | 1 |
P6SMAJ12ADF-13是一款由Diodes Incorporated制造的齐纳二极管,旨在为电子设备提供高效的瞬态电压抑制(TVS)。它广泛应用于电源线路保护、信号线路保护以及各种通用电子设备中,尤其是在需要防止电压瞬态事件对敏感器件造成损害的场合。
P6SMAJ12ADF-13的核心功能在于其对快速电压突变的响应能力,尤其是来自雷电、静电放电(ESD)以及其他瞬态过电压事件。由于其优越的电压钳位特性,它能够在瞬态状态下有效保护电路,防止晶体管、集成电路及其他敏感组件遭受过高电压的损害。典型的应用包括:
在设计使用P6SMAJ12ADF-13的电路时,需要考虑以下几个方面:
P6SMAJ12ADF-13是高效、可靠的瞬态电压抑制解决方案,适合于各种应用场景,是保护电子设备免受瞬态电压损害的理想选择。借助其优越的性能和灵活的封装设计,设计工程师能够更好地在电路中实现保护,提升产品的市场竞争力和用户满意度。通过合理的设计和布局,这款齐纳二极管能够在各种条件下提供卓越的保护效果,确保电子设备的稳定性和长寿命。