DMN3016LFDE-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3016LFDE-13

商品编码: BM0127477432
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 730mW 30V 10A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
6457(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.04
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.04
--
100+
¥0.829
--
500+
¥0.754
--
2500+
¥0.698
--
5000+
¥0.666
--
10000+
¥0.622
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3016LFDE-13参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25.1nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1415pF @ 15V
功率耗散(最大值)730mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

DMN3016LFDE-13手册

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DMN3016LFDE-13概述

产品概述:DMN3016LFDE-13 MOSFET

DMN3016LFDE-13 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动和其他高效能电子电路中。该器件采用 U-DFN2020-6 表面贴装封装,具有紧凑的尺寸和优越的热性能,适合在空间受限的应用中使用。以下是 DMN3016LFDE-13 的详细参数及其应用优势。

1. 基本参数

  • FET 类型: N 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 最大漏源电压为 30V,适合处理较高电压的电子电路。
  • 连续漏极电流(Id): 25°C 时的最大连续漏极电流为 10A,保证了在常规工作条件下的高效传导能力。
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极驱动下,其导通电阻最多为 12mΩ(在 11A 时),确保了低的能量损耗和高的导电效率。
  • Vgs(th)(栅阈值电压): 最大阈值电压为 2V @ 250µA,允许在较低驱动电压下实现高效率的开关控制。
  • 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 25.1nC @ 10V,使得器件能够快速开关,降低开关损耗。
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,扩展的工作温度范围增强了器件的可靠性,适用于大多数工业和汽车应用。
  • 功率耗散(Pd): 在环境温度下,其最大功率耗散为 730mW,适用于中小功率应用。

2. 封装与安装

DMN3016LFDE-13 采用 U-DFN2020-6 封装,这是一种紧凑型封装,经过优化以提高热管理能力,适合于表面贴装技术(SMT)。该封装设计具有裸露焊盘(Pad),便于优秀的热传导及有效的电气连接,能够减少电路板空间的占用,有助于提升整体设计的合理性。

3. 应用场景

DMN3016LFDE-13 的设计使其具备广泛的应用前景,主要包括但不限于以下几种场合:

  • 电源管理: 适用于开关电源、线性电源及电池管理系统,能在高效率下进行电源转换和控制。
  • DC-DC 转换器: 在降压或升压转换器中可以充当主开关元件,提供高效的能量传输。
  • 马达驱动: 可用于马达控制电路,提高马达效率,降低功耗,广泛应用于电动工具、家用电器及自动化设备等。
  • 信号开关与控制: 适用于信号的选择和开关控制,能够有效控制小信号电路中的电流流向。

4. 结论

综上所述,DMN3016LFDE-13 作为 DIODES 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,其优异的电气特性和工作参数,使其成为电源管理系统、DC-DC 转换器、马达驱动等应用的理想选择。其兼具高效能与小型化的设计,满足现代电子设备对性能和空间的双重要求。无论是在特定的工业应用还是在消费类电子产品中,DMN3016LFDE-13 都能为设计人员提供可靠且高效的解决方案。