DMN2028UFDF-7
DMN2028UFDF-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 907pF @ 10V |
DMN2028UFDF-7手册
DMN2028UFDF-7概述
DMN2028UFDF-7 产品概述
一、产品简介
DMN2028UFDF-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能场效应管（MOSFET），采用 N 通道设计，具有出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电子电路中。其独特的 U-DFN2020-6（裸露焊盘）封装，不仅在尺寸上兼顾了小型化的需求，还提供了良好的散热性能，使其适用于空间受限但功耗要求高的应用场景。
二、关键参数
最大漏极电流 (Id): 7.9A（在 25°C 环境温度下），使其在电力驱动和转换方面表现出色，适合大电流应用。
漏源电压 (Vdss): 20V，保证了在高电压工作环境中的稳定性。
栅源驱动电压 (Vgs): 最大值为 ±8V，具有广泛的栅驱动范围，能够满足多种驱动电平的需求。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs=4.5V、Id=4A 时，导通电阻最大值为 25 毫欧（mΩ），有效降低了导通损耗，提升整体电路的效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1V（在 250µA 时），提供了快速开关能力，适合用于高频开关应用。
功率耗散 (Pd): 最大功耗为 660mW（在 25°C 环境下），适合长期稳定工作。
工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，极大增强了器件在极端环境下的适应性，为温度敏感型应用提供了保障。
三、应用领域
DMN2028UFDF-7 的高效性能和优良的热特性使其非常适合于多种应用场景，例如：
电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等电源管理系统中，DMN2028UFDF-7 能有效提高转换效率，并降低功耗。
电机驱动: 由于其较高的电流承载能力和快速开关特性，此 MOSFET 适合用于电机驱动电路，特别是在需要快速响应和高效控制的场合。
负载开关: 本产品可以用于各种高频开关，能够有效控制设备的加电和断电，在LED驱动和电源分配等场合表现出色。
消费电子: 由于体积小且性能稳定，非常适合用于便携式设备和消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等。
汽车电子: 具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在汽车电气系统中的应用，如电动助力转向系统（EPS）等。
四、设计注意事项
在设计过程中，需要注意以下几点：
散热设计: 尽管 DMN2028UFDF-7 的功耗较低，但在高负载下依然可能产生一定的热量，因此合理的散热设计对于保持器件性能至关重要。
驱动电路: 选择合适的驱动电压（Vgs），以确保 MOSFET 能以最优性能工作，同时要注意控制栅极电压的幅度在最大 ±8V 内。
电路保护: 在实际应用中，要考虑额外的保护措施，如过流保护和电压钳位，以保证 MOSFET 在故障状态下的可靠性和安全性。
五、总结
DMN2028UFDF-7 是 Diodes Incorporated 推出的高效 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、宽广的工作温度范围和可靠的封装设计，成为现代电子设计中不可或缺的组件。无论是在电源管理、电机驱动还是消费者电子产品中，其出色的性能表现都将为设计者提供强大的支持，助力各类高效稳定的电子系统的实现。