功率(Pd) | 900mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42.5mΩ@4.5V,4.0A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.1nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 294pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 4A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMG3415UQ-7 是一款高效的 P 型场效应管(MOSFET),它在多个领域中具有广泛的应用,包括电源管理、负载开关、以及电机驱动等。该MOSFET由美台(DIODES)公司制造,具备良好的性能指标和可靠性,非常适合在需要中等电流和电压的场合使用。
电气参数:
封装:
工作温度范围:
DMG3415UQ-7 由于其稳定的性能和适中的规格,非常适合在以下几个领域中应用:
电源管理:在开关电源(SMPS)、适配器和充电电路中作为开关元件,提高功效和效率。
负载开关:用于各种控制电路中,DMG3415UQ-7 可以用作负载开关,通过低电平控制高电流的负载,有效实现功率管理。
电机驱动:在小型电机驱动应用中,DMG3415UQ-7 可以提供准确的控制和高效的功率转换,适合用于风扇、泵等设备。
消费电子产品:随着科技的发展,越来越多的消费电子产品需求小型化和高效化。DMG3415UQ-7 可以被用于手机充电器、便携式设备等。
高效性:凭借优良的电气性能,DMG3415UQ-7 在开关频率较高的应用中表现出色,能够有效降低开关损耗和导通损耗。
可靠性:DIODES 公司在元器件生产方面的经验保证了 DMG3415UQ-7 的高质量和长期可靠性,适合稳定运行的各种场合。
尺寸优势:SOT-23 封装使得该器件在占用空间非常有限的情况下,提供了强大的功能,满足现代电子技术对小型、高效元器件的需求。
易于集成:由于其适中的电流与电压规格,DMG3415UQ-7 适合与其他元件易于集成,便于开发人员在设计过程中进行组合与应用。
DMG3415UQ-7 是一款极具竞争力的 P 型 MOSFET,凭借其出色的电气性能、可靠的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为众多电子产品设计中的优选元件。无论是在电源管理、负载开关还是电机驱动等应用中,DMG3415UQ-7 都能提供高效、稳定的解决方案,以满足现代电子产品对高效性能和小型化设计的需求。