DMG3415UQ-7 产品实物图片
DMG3415UQ-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMG3415UQ-7

商品编码: BM0127477427
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.034g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 900mW 20V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
5674(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.01
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.01
--
200+
¥0.777
--
1500+
¥0.676
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG3415UQ-7参数

功率(Pd)900mW反向传输电容(Crss@Vds)25pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42.5mΩ@4.5V,4.0A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)9.1nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)294pF@10V连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

DMG3415UQ-7手册

empty-page
无数据

DMG3415UQ-7概述

DMG3415UQ-7 产品概述

DMG3415UQ-7 是一款高效的 P 型场效应管(MOSFET),它在多个领域中具有广泛的应用,包括电源管理、负载开关、以及电机驱动等。该MOSFET由美台(DIODES)公司制造,具备良好的性能指标和可靠性,非常适合在需要中等电流和电压的场合使用。

基本特性

  1. 电气参数

    • 耐压(V_DS):DMG3415UQ-7 的耐压为 20V,可以应对多数常见的低压应用场景。
    • 最大漏电流(I_D):该器件的最大漏电流为 4A,保证了在动态负载条件下的高效运行。
    • 功耗(P_D):其最大功耗为 900mW,适合低功耗应用,有效降低散热要求,提升系统稳定性。
  2. 封装

    • DMG3415UQ-7 采用 SOT-23 封装,这是一种小型、轻便的封装形式。SOT-23 封装的占板面积小,非常适合高密度电路板设计,满足现代电子产品对空间的需求。
  3. 工作温度范围

    • 该元件的工作温度范围非常宽适,可以在工业环境中稳定运行,具体温度范围可达 -55°C 至 +150°C,保证了其在严苛环境下的可靠性。

应用场景

DMG3415UQ-7 由于其稳定的性能和适中的规格,非常适合在以下几个领域中应用:

  1. 电源管理:在开关电源(SMPS)、适配器和充电电路中作为开关元件,提高功效和效率。

  2. 负载开关:用于各种控制电路中,DMG3415UQ-7 可以用作负载开关,通过低电平控制高电流的负载,有效实现功率管理。

  3. 电机驱动:在小型电机驱动应用中,DMG3415UQ-7 可以提供准确的控制和高效的功率转换,适合用于风扇、泵等设备。

  4. 消费电子产品:随着科技的发展,越来越多的消费电子产品需求小型化和高效化。DMG3415UQ-7 可以被用于手机充电器、便携式设备等。

优点与竞争力

  1. 高效性:凭借优良的电气性能,DMG3415UQ-7 在开关频率较高的应用中表现出色,能够有效降低开关损耗和导通损耗。

  2. 可靠性:DIODES 公司在元器件生产方面的经验保证了 DMG3415UQ-7 的高质量和长期可靠性,适合稳定运行的各种场合。

  3. 尺寸优势:SOT-23 封装使得该器件在占用空间非常有限的情况下,提供了强大的功能,满足现代电子技术对小型、高效元器件的需求。

  4. 易于集成:由于其适中的电流与电压规格,DMG3415UQ-7 适合与其他元件易于集成,便于开发人员在设计过程中进行组合与应用。

总结

DMG3415UQ-7 是一款极具竞争力的 P 型 MOSFET,凭借其出色的电气性能、可靠的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为众多电子产品设计中的优选元件。无论是在电源管理、负载开关还是电机驱动等应用中,DMG3415UQ-7 都能提供高效、稳定的解决方案,以满足现代电子产品对高效性能和小型化设计的需求。