DMP2160UWQ-7
DMP2160UWQ-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 627pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMP2160UWQ-7手册
DMP2160UWQ-7概述
DMP2160UWQ-7 产品概述
DMP2160UWQ-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为各种电子应用设计，尤其适用于低功耗电路。作为美台（DIODES）品牌的一部分，这款 MOSFET 结合了卓越的电气特性和高可靠性，能有效满足现代电子设备的需求。
基本特性
FET 类型: DMP2160UWQ-7 是一款 P 通道 MOSFET，这使其在反向导通特性和电流控制方面具有显著优势。P 通道设计在许多电源管理和信号切换应用中非常常见。
漏源电压: 此 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 20V，这意味着它能够有效地应对在电源管理和开关电路中常见的电压水平，适合于低至中电压的应用。
连续漏极电流: 在 25°C 环境温度下，DMP2160UWQ-7 的最大连续漏极电流可达 1.5A（Ta）。这一特性使得它在需要处理适度电流的应用中表现突出。
导通电阻: DMP2160UWQ-7 在 1.5A 和 4.5V 时的最大导通电阻仅为 100 毫欧。这一低导通电阻特性有助于降低功耗，提高整体系统效率，非常适用于需要频繁开关的应用环境。
驱动电压: MOSFET 在 2.5V 到 4.5V 的驱动电压范围内表现稳定，适合与多种逻辑电平兼容的应用结合。
阈值电压: 不同 Id 时的 Vgs(th) 最大值为 900mV @ 250µA，这意味着 DMP2160UWQ-7 能够在较低电平下快速开启，有利于实现高效的开关控制。
热性能与功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 350mW（Ta），结合-55°C 至 150°C 的工作温度范围，提供了良好的热稳定性与可靠性，适合在严苛环境中使用。
输入电容: 输入电容（Ciss）最大值为 627pF @ 10V，表明该 MOSFET 在快速切换应用中具有良好的响应特性。
安装方式及封装: DMP2160UWQ-7 采用 SOT-323 封装（SC-70），这是一种小型表面贴装型设计，有助于减少 PCB 板面积，提高整体设计的紧凑性，适合于空间受限的设计场景。
应用领域
DMP2160UWQ-7 主要应用于以下领域：
- 电源管理: 适合于电源开关、变换器等需求中等功率和电压的应用。它的高效性和低导通电阻性能使其成为 DC-DC 转换器中的理想选择。
- 家用电器: 在现代家电中，DMP2160UWQ-7 可用于驱动器电路，提供可靠的开关控制功能。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，该 MOSFET 可在汽车电子中找到应用，例如电池管理系统与电机控制。
- 消费电子: 在手机、平板电脑等移动设备中，DMP2160UWQ-7 可用于电源开关，帮助延长电池寿命。
总结
DMP2160UWQ-7 是一款高效的 P 通道 MOSFET，以其优越的电气性能、宽泛的工作温度及可靠性，成为多种电子应用的理想选择。无论是在电源管理、家用电器还是汽车电子领域，DMP2160UWQ-7 的卓越表现都能够满足严苛的设计要求，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。通过选择 DMP2160UWQ-7，工程师能够实现高效、可靠的电路设计，减少功耗并提高系统性能。