DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7 产品概述

概述

DMN61D8LVT-7 是一款由 DIODES（美台）生产的高性能双 N 通道场效应管（MOSFET），采用 TSOT-26 小封装，主要用于标准逻辑电平驱动应用。这款器件在许多电子设备中展现出了杰出的性能和可靠性，其设计旨在满足现代电子设备在功率管理、开关控制及其他高频应用中的严苛要求。

关键特性

1. 结构与功能:

   • DMN61D8LVT-7 是一款双 N 型 MOSFET，由两个独立的 N 通道器件构成，适合双通道的开关和功率管理应用。MOSFET 的逻辑电平门设计使得它能够方便地与逻辑电平信号直接兼容，减少了外部驱动电路的复杂性。

2. 电气性能:

   • 最大漏极电流 (Id)：该器件在 25°C 环境下的连续漏极电流为 630mA，这使得它适用于功率适中但要求高效率的应用场合。
   • 漏源电压 (Vdss)：最大漏源电压为 60V，这使得 DMN61D8LVT-7 适合用于电源管理、马达驱动及高侧开关应用。
   • 导通电阻 (Rds(on))：在 150mA 和 5V 电压下，导通电阻高达 1.8Ω，这使得器件在工作时能显著降低能量损失，提高系统整体效率。
   • 栅极阈值电压 (Vgs(th))：当漏电流约为 1mA 时，阈值电压最大值为 2V，表明它能够在较低的栅电压下顺利开启，为控制提供了更多灵活性。

3. 频率与电容特性:

   • 输入电容 (Ciss) 在 12V 时最大值为 12.9pF，表明 DMN61D8LVT-7 非常适合用于高速开关应用，且在高频条件下表现出色。
   • 栅极电荷 (Qg) 在 5V 时最大值为 0.74nC，进一步提高了其切换速度，使得在高频操作情况下的效率得以提升。

4. 广泛的工作温度范围:

   • DMN61D8LVT-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其非常适合在恶劣环境下运行，广泛应用于汽车、工业控制、通信设备及高可靠性系统中。

5. 功率管理:

   • 该器件的最大功率额定值为 820mW，为各种功率管理应用提供了良好支持，适合用于电源开关和负载驱动等多种场合。

应用场景

DMN61D8LVT-7 可广泛应用于多种领域，包括但不限于：

• 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器及各种电源开关电路。
• 马达驱动：在小型电机驱动、步进电机控制及伺服系统中，能够有效控制电流。
• 消费电子：在移动设备、家用电器及其他消费电子产品中，为开关和功率管理提供驱动。
• 汽车电子：由于其广泛的工作温度范围，该器件在汽车的电源管理和车载电子设备中也占据了一席之地。

总结

DMN61D8LVT-7 是一款高效、可靠和多功能的双 N 通道 MOSFET，其卓越的电气性能及广泛的适用性，使其成为多种电子设备设计中不可或缺的元件。无论是在低功耗应用还是高功率管理场景中，这款 MOSFET 都能保证卓越的性能和效能，是现代电子设计中理想的选择。