FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 19 毫欧 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1204pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP3026SFDF-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为要求高效率和小尺寸设计的应用而开发。作为 DIODES 公司的代表性产品,它采用了先进的金属氧化物半导体技术,具有优越的电气性能和极为紧凑的封装形式。该元件的主要特点和应用领域使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。
FET 类型: P 通道
最大漏源电压 (Vdss): 30V
连续漏极电流 (Id): 10.3A @ 25°C
导通电阻 (Rds On): 最大值 19 毫欧 @ 4.5A,10V
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
输入电容 (Ciss): 最大值 1204pF @ 15V
栅极电荷 (Qg): 最大值 19.6nC @ 10V
功率耗散 (Pd): 最大值 2W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: 表面贴装型 U-DFN2020-6
DMP3026SFDF-13 广泛应用于各种电源管理和开关控制的场合,包括:
DMP3026SFDF-13 是一款集成了高效能和可靠性于一身的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、小型封装和宽温工作范围,充分满足现代电子设备对高效开关性能的需求。无论是在消费电子还是工业应用领域,这款 MOSFET 都能提供卓越的性能,是工程师在设计高效率电源和开关控制方案时的不二选择。