晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 6mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 50mA,10V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT558QTA 是一种高性能的 PNP 型双极结晶体管(BJT),主要用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。该器件由 DIODES (美台)公司制造,具备卓越的电气性能和可靠性,适用于广泛的工作环境,是许多现代电子产品设计中的理想选择。
电流与功率处理能力
FMMT558QTA 的集电极电流(Ic)最大值为 150mA,适合用于大部分小型功率放大电路。此外,其最大功率可达 500mW,使其能够在一定的功耗范围内稳定运行,确保其在高温和高负载环境下的可靠性。
电压处理能力
在电压方面,FMMT558QTA 的集射极击穿电压(Vceo)最大值为 400V,使其能够处理较高的电压,适合用在电源开关、驱动电路以及保护电路等多种应用中。
饱和压降性能
该晶体管在不同基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下的 Vce 饱和压降最大值为 500mV(@ 6mA,50mA),这是一个重要的指标,因为较低的饱和压降意味着该器件在开关状态时具有较高的效率,能够降低功率损耗和热量产生。
增益特性
FMMT558QTA 的直流电流增益 (hFE) 最小值为 100(@ 50mA,10V),这表明该晶体管在提供一定的基极电流下,能够有效地放大集电极电流。这一特性使其广泛应用于信号放大电路中,保证了信号的清晰和强度。
高频性能
FMMT558QTA 的频率跃迁达到 50MHz,这使其在需要高频响应的应用中表现优异,如高频开关和射频电路。
温度范围
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合用于恶劣环境下的应用,确保在极端温度条件下仍能稳定工作。
封装特性
FMMT558QTA 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,适合现代电子产品的小型化设计。该封装提供了优良的散热性能和可焊接性,使得其在 PCB 上集成更为方便。
FMMT558QTA 的优越特性使其能够应用于多种场景,包括但不限于:
FMMT558QTA 是一款性能强大的 PNP 型晶体管,凭借其卓越的电气参数、宽广的工作温度范围和小巧的 SOT-23 封装,适合在各种严苛条件下的应用。无论是在消费电子、工业设备还是医疗器械方面,FMMT558QTA 都能为设计者提供强有力的支持,帮助他们开发出高性能和高效率的电子产品。