注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN1008UFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 12V 12.2A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
1756(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.2按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.2
--
200+
￥0.919
--
1500+
￥0.799
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN1008UFDF-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23.4nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 995pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN1008UFDF-7手册
无数据
DMN1008UFDF-7概述
产品概述：DMN1008UFDF-7
一、产品介绍
DMN1008UFDF-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由美台（DIODES）公司制造，专为各种应用场合设计，以提供卓越的导电性能和温度稳定性。采用小型化的 U-DFN2020-6 封装，适合高密度电路的表面贴装，特别适用于便携式设备、电源管理和负载开关等领域。
二、关键技术参数
- 漏源电压（Vdss）： 最高可达 12V。该特性使其适合工作于中低电压的电源系统，提高系统的灵活性。
- 漏极电流（Id）： 在 25°C 环境温度下，最大漏极电流可达 12.2A，使其能够处理大功率负载，适用于各种高功率应用。
- 栅源驱动电压（Vgs）： 支持的驱动电压范围为 2.5V 到 4.5V，使得该 MOSFET 可以在较低的供电电压下有效操作，有助于降低功耗并提高系统的效率。
- 导通电阻（Rds(on)）： 在 5A、4.5V 的工作条件下，最大导通电阻为 8 毫欧，这一特性保证了低功耗和高效能，减少了在开关状态下的功率损耗。
- 栅极电压阈值（Vgs(th)）： 最高可达 1V @ 250µA，这一较低的阈值电压使得该器件能够在较小的栅极驱动电压下开启，提高了开关的响应速度和可靠性。
三、应用场景
- 电源管理： DMN1008UFDF-7 适用于开关电源（SMPS）系统，可高效控制功率流，降低静态和动态功耗。
- 负载开关： 常用于控制电路中的负载开关，通过低电压驱动信号灵活开启/关闭负载。
- 便携式设备： 针对移动设备和便携式电子产品，低功耗和高导电性为电池续航能力提供了保障。
- 电机控制： 该MOSFET能够进行高效的电流控制，在电动机驱动和控制中扮演重要角色。
四、长期稳定性
DMN1008UFDF-7 的工作温度范围广泛，从 -55°C 至 150°C，确保在各种严苛环境下均能保持良好的性能。此外，其最大功率耗散可达 700mW，则在安全操作区域内，即使在高负载情况下也能有效防止过热，从而增加了器件的可靠性和使用寿命。
五、封装特性
该 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装，具有小尺寸和优越的散热特性，适合于空间有限的紧凑型设计。其裸露焊盘的设计有助于提升焊接性能和热管理能力，使其在高温条件下依然能够保持良好的工作状态。
六、总结
DMN1008UFDF-7 N 通道 MOSFET 是一款高效、灵活和可靠的电子元件，凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，具有广泛的应用潜力和市场需求。无论是在消费电子、工业控制或是汽车电子等领域，该器件都能满足现代电子设计对性能和效率的严格要求。