晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 250mA,10V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
FCX495QTA是一款高性能的NPN晶体管,属于更广泛的BJT(双极性晶体管)家族,专为多种电子应用场景设计。该器件具有出色的电气特性和功能,是现代电子设备中常见的基础元件之一。根据其市场需求和可靠性,FCX495QTA在消费类电子、工业控制、电源管理等领域均能发挥重要作用。
FCX495QTA的主要电气特性如下:
集电极电流 (Ic): 最大可以达到1A,这使得FCX495QTA能够驱动更强大的负载,适合对电流要求较高的应用。
集射极击穿电压 (Vce_max): 最高可达150V,保证其在高电压环境中的可靠性。这一特性使得FCX495QTA能够在电源转换及开关电容等应用中有效工作。
Vce饱和压降: 在不同的集电极电流 (Ic) 下的饱和压降值最大为300mV(在50mA时)及500mV(在500mA时)。低饱和压降意味着FCX495QTA在开关操作中会减少功耗,提高整体能效。
集电极截止电流 (Ic(off)): 最大为100nA,这意味着该器件在关闭状态下几乎没有漏电流,对于低功耗电路设计至关重要。
DC电流增益 (hFE): 最小值为100,在250mA电流和10V电压条件下,说明FCX495QTA在大多数工作条件下可提供良好的增益特性,适合用于放大和开关应用。
功率处理能力: 最大功率为1W,允许应用设计师在相对宽广的功率范围内使用该器件,而不会担心过热问题。
频率特性: 跃迁频率高达100MHz,适合高速操作的开关应用,如射频和信号处理电路。
工作温度范围: -65°C至150°C,意味着FCX495QTA能够在极端环境下稳定工作,特别适合航空航天、汽车及工业系统等需求苛刻的应用。
FCX495QTA采用SOT-89封装,这是一种小型、表面贴装型(SMD)设计,具有极高的实用性与便捷性。SOT-89封装能够在有限的空间内达到更高的集成度,非常适合现代电子设备对空间和体积的严格要求。通过SMD技术的应用,FCX495QTA可以快速、成本效益高地集成到各种电路板中。
FCX495QTA能够广泛应用于多种电子产品中,包括但不限于:
开关电源: 此器件的高电压和电流特性使其非常适合用于开关电源电路中进行功率转换。
放大器电路: 由于其良好的增益特性,FCX495QTA常用于音频和射频放大器中,助力增强信号质量。
数字电路: FCX495QTA可作为逻辑电平转换器,广泛应用于逻辑电信号处理。
传感器驱动: 其高电流能力使其也能用于驱动多种传感器和致动器。
FCX495QTA由DIODES(美台)公司生产,该公司在电子元器件行业内享有良好的声誉,以提供高质量、高可靠性的产品而著称。凭借优越的制造工艺和严格的质量管理,DIODES确保每个FCX495QTA都符合国际标准,以满足消费者对性能和耐用性的期望。
FCX495QTA凭借其优秀的电气特性、可靠的性能、灵活的应用能力以及坚固的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是在高功率的电源管理还是微弱信号的处理领域,FCX495QTA都表现出色,充分满足多种应用需求。