DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7 产品概述

DMN1004UFV-7 是由 DIODES（美台）公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。它的设计主要针对高效能的电源管理和负载开关应用，特别适合需要高电流和高开关速度的场合。该器件采用 PowerDI3333-8 封装，能够有效降低电路的整体空间占用，为行业内广泛的应用提供了灵活的解决方案。

主要技术参数

• FET 类型: N 通道
• 技术类型: MOSFET
• 漏源电压（Vdss）: 12V
• 连续漏极电流（Id）: 70A（在 25°C 时 Tc 条件下）
• 驱动电压: 2.5V（最小 Rds On），4.5V（最大 Rds On）
• 导通电阻（Rds On）: 在 4.5V Vgs 下，15A 时最大值为 3.8 毫欧
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1V（在 250µA 条件下）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 47nC（在 8V 条件下）
• 输入电容（Ciss）: 最大值为 2385pF（在 6V 条件下）
• 功率耗散: 最大值为 1.9W（在环境温度 Ta 条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装: PowerDI3333-8
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）

性能特点

1. 高电流承载能力: DMN1004UFV-7 支持高达 70A 的连续漏极电流，确保在高负载情况下的稳定性和可靠性，使其成为高功率应用的理想选择。

2. 低导通电阻: 在高电流条件下，导通电阻仅为 3.8 毫欧，这不仅提升了能效，还降低了发热量，有利于系统散热，延长了组件的使用寿命。

3. 广泛的工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性能，特别适用于军事、航空等特殊行业。

4. 高切换速度: 较小的栅极电荷（47nC）意味着该设备可以实现更快的开关速度，有利于提升开关电源的运行效率，减少开关损耗。

5. 紧凑的封装设计: PowerDI3333-8 封装提供了优秀的散热性能，同时减小了PCB的面积，使得设计更为紧凑。

应用领域

DMN1004UFV-7 适用于多种高度集成的电源管理解决方案，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）和电源模块
• DC-DC 转换器
• 电机驱动和控制电路
• 负载开关和启停控制电路
• 便携式设备与消费电子产品
• 汽车电子设备中的电源管理
• 工业自动化设备与机电控制系统

总结

DMN1004UFV-7 结合了高电流承载能力、低导通电阻、宽工作温度范围及高开关效率，是一款非常理想的 MOSFET 解决方案。由于其出色的性能表现，DMN1004UFV-7 可以广泛应用于各类高效能电子设备及系统，为现代电子技术的发展与创新提供有力支撑。