DMN10H170SFG-13
DMN10H170SFG-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta），8.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 122 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 940mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870.7pF @ 25V |
DMN10H170SFG-13手册
DMN10H170SFG-13概述
DMN10H170SFG-13 产品概述
制造商简介
DMN10H170SFG-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），被广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他需要高效电流控制的场合。Diodes Incorporated 是一家全球领先的半导体制造商，专注于开发和提供高效率、高性能的电子元器件，以支持各种现代电子设备的需求。
产品特性
DMN10H170SFG-13 具有以下关键特性，使其在很多应用中兼具高效性与可靠性：
电流容量: 本器件在 25°C 的环境温度下，具有 2.9A 的连续漏极电流（Id），在较高的温度环境下，该值可提高至 8.5A。这使得该 MOSFET 非常适合于电源和负载调节等多种应用。
漏源电压: 该器件能够承受高达 100V 的漏源电压（Vdss），能够适应多种高电压电路设计的要求。
驱动电压灵活性: DMN10H170SFG-13 支持的最大 Rds On 驱动电压分别为 4.5V 和 10V，使得设计者可以根据自身应用的需求来选择适宜的驱动条件。
低导通电阻: 在 3.3A 时，器件的最大导通电阻 Rds(on) 仅为 122 毫欧，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。
温度适应性: 本器件的工作温度范围为-55°C 到 150°C，适合在极端环境下进行正常工作，确保其在各种苛刻条件下的可靠性能。
小型化设计: DMN10H170SFG-13 采用 PowerDI3333-8 封装，这种表面贴装型封装方式能够节省电路板空间，同时提供良好的热管理性能。
低栅极电荷: 最大栅极电荷（Qg）为 14.9nC，在 10V 时测试，确保设备可以在较小的驱动功耗下完成开关操作。
应用领域
由于其卓越的性能，DMN10H170SFG-13 一般适用于以下应用场合：
开关电源: 在电源转换器中作为开关元件使用，能够实现高效的电源转换。
电机控制: 可用于电机驱动电路中，提供快速响应和高效的电流控制，适合用于伺服电机和无刷直流电机。
LED驱动: 在LED照明系统中，作为调光元件和电流控制元件，发挥稳定的电流输出。
电池管理: 在电池充电和放电过程中，控制电流流动，确保设备的安全与可靠。
总结
DMN10H170SFG-13 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，具有广泛的应用前景。其优异的电流承受能力、低导通电阻和高工作温度范围使其在现代电子产品设计中极具价值。Diodes Incorporated 作为其制造商，凭借在半导体领域的技术积累，为客户提供高品质的电子元器件解决方案。无论是在电源管理、驱动控制还是其他高电流应用中，DMN10H170SFG-13 都是一个值得信赖的选择。