DMP2066UFDE-7
DMP2066UFDE-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1537pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（E 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP2066UFDE-7手册
DMP2066UFDE-7概述
DMP2066UFDE-7 产品概述
1. 概要
DMP2066UFDE-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为需要低导通电阻和高效率的应用场合设计。其漏源电压 (Vdss) 可达到 20V，标称连续漏极电流 (Id) 为 6.2A，能够在多种工作环境下稳定运行。这款 MOSFET 的封装形式为 U-DFN2020-6，采用表面贴装设计，方便与各种电路板集成。
2. 关键参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 6.2A（在Ta条件下）
- 驱动电压下的Rds(on): 最大值为 36 毫欧 @ 4.6A，4.5V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1.1V @ 250µA，适合小信号驱动条件
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 14.4nC @ 4.5V，反映了此器件在开关频率较高应用中的性能
- 最大工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ），具备优良的热稳定性
- 功率耗散: 最大值 660mW（在Ta条件下）
- 输入电容 (Ciss): 最大值 1537pF @ 10V，适用于各种放大电路和开关电路
- 封装: 6-UDFN 裸露焊盘，常用于紧凑型和高密度面板设计
3. 应用领域
DMP2066UFDE-7 由于其卓越的电性能和可靠性，非常适合用于以下领域：
电源管理: 在电源开关、DC-DC 转换器和功率放大器中，DMP2066UFDE-7 可以用作主开关元件，增强电源的效率和稳定性。
移动设备: 在手机、平板电脑等便携式电子设备中，可用于电源调节和电源路径切换，因其低Vgs(th)和小Qg，能够实现快速切换，节省电池能耗。
LED 驱动电路: 用作 LED 照明中的开关元件，优异的 Rds(on) 和额定电流使其能够有效控制灯光的输出和变化。
汽车电子: 在汽车电子控制模块、智能驾驶和电动汽车中，DMP2066UFDE-7 可用于用于负载开关和功率调节。
4. 性能优势
DMP2066UFDE-7 在性能上具有众多优势，其低导通电阻和高电流承载能力使其在相同条件下的功率损耗更低。同时，它的高工作温度范围和耐受性，确保了在极端环境条件下的稳定工作。此外，U-DFN2020-6 封装有助于降低电路板的占用空间，使其在现代小型化电子产品中的应用尤为广泛。
5. 结论
综上所述，DMP2066UFDE-7 是一款兼具高效率和可靠性的 P 通道 MOSFET，适用于各种电源管理和信号开关应用。无论是在移动设备、汽车电子还是 LED 驱动电路中，它都表现出了优异的性能与适应性。作为 DIODES 品牌的一款高性能产品，DMP2066UFDE-7 定能满足工程师对电源解决方案的严格要求，为电路带来更高的效率和更小的体积。