DMN6066SSS-13
DMN6066SSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 66 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 502pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN6066SSS-13手册
DMN6066SSS-13概述
产品概述：DMN6066SSS-13 N沟道MOSFET
DMN6066SSS-13是一款高性能N沟道MOSFET，专为要求严格的电子应用设计。作为美台（Diodes Incorporated）出品的产品，DMN6066SSS-13结合了优异的电气特性和高度可靠的工作环境，使其在多种应用中表现出色。
1. 基本信息
DMN6066SSS-13的漏源电压（Vdss）最高可达60V，适合处理从低电压到中等电压的应用需求。该器件在25°C时的最大连续漏极电流（Id）为3.7A，使其能够满足大多数功率开关应用的要求。此外，器件的驱动电压可以选择在4.5V或10V下运行，以实现最佳的导通性能，进一步增强了设计的灵活性。
2. 电气特性
DMN6066SSS-13在不同Id和Vgs条件下的导通电阻（Rds(on)）表现出极低的值，最大为66毫欧（@ Id = 4.5A，Vgs = 10V），这一特性在高频和高效率设计中尤为重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V（@ 250µA），提供了良好的开关特性，能够在较低的栅极驱动电压下工作。此外，其栅极电荷（Qg）在10V时最大为10.3nC，意味着驱动电路的驱动要求相对较低，从而有助于提高整个系统的效率。
3. 封装与散热
DMN6066SSS-13采用表面贴装型（SMD）SO-8封装，这种小型封装便于自动化安装，适应各种现代电子产品的设计需求。器件的功率耗散最大为1.56W（在环境温度Ta下），具有良好的散热性能，保证器件在高负载情况下的稳定运行。封装的尺寸为0.154"（3.90mm宽），适合于高密度电路板的设计。
4. 工作温度范围
DMN6066SSS-13能够在-55°C到150°C的极端温度范围内工作，适合用于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制以及航空航天等领域。此广泛的温度适应性使得DMN6066SSS-13在特定的高温或低温应用中具有较强的竞争力。
5. 应用场景
这款N沟道MOSFET可以广泛应用于多种电子电路中，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电源管理
- 电机驱动
- 低压快速开关电路
- 汽车及工业设备
凭借其低导通电阻、良好的开关特性以及高工作温度范围，DMN6066SSS-13可以帮助工程师在设计中实现高效能和稳定性，使之成为多种电子产品中的理想选择。
总结
DMN6066SSS-13不仅是一款高效能的N沟道MOSFET，还具备广泛的应用潜力。其设计考虑到各类应用的严苛要求，使其能够在各种环境中稳定工作。对于寻求性能和可靠性的设计人员而言，DMN6066SSS-13无疑是值得信赖的选择。