DMN10H099SFG-7
DMN10H099SFG-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1172pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 980mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN10H099SFG-7手册
DMN10H099SFG-7概述
产品概述：DMN10H099SFG-7
DMN10H099SFG-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专用于需要高效能和可靠性的电源管理、开关电源和其他电子应用。该器件由 DIODES（美台）制造，尤其适合工业、通信和消费电子领域的高频率、高效能应用场景。
主要特性
漏源电压（Vdss）: 本器件支持高达 100V 的漏源电压，适合中高压应用。这种电压范围使其能够承受多种工作条件，提供卓越的电力控制。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，该 MOSFET 能够提供高达 4.2A 的连续漏极电流，确保其在负载增加的情况下依然能够保持高效运行。这一特性使得 DMN10H099SFG-7 能在各种负载条件下展现优异的性能。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为 80 毫欧，在 3.3A 的工作条件下。这一低导通电阻值能够显著减少导通损耗，提高整体电源效率，进而降低热量生成，延长器件和系统的使用寿命。
栅极驱动电压（Vgs）: 器件的最大驱动电压为 ±20V，提高了设计灵活性。最小的导通电压阈值（Vgs(th)）为 3V，确保在较低的驱动电压下便能有效导通，适合多种驱动电路。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动电压下，栅极电荷为 25.2nC，意味着器件的开关速度较快，有助于提高开关频率，从而减少整体系统的功耗。
输入电容（Ciss）: 在 50V 时，输入电容的最大值为 1172pF，这为设计提供了良好的高频性能，降低了高频开关损耗。
功率耗散: DMN10H099SFG-7 在 25°C 环境下的最大功率耗散为 980mW，这一强大的功率处理能力使其在各种应用环境中能够稳定运行。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在极端的工况下也能保持良好的性能和可靠性。
封装形式: DMN10H099SFG-7 采用表面贴装型封装 PowerDI3333-8，尺寸紧凑，适用于现代电子设备的小型化设计。该封装形式提供了优越的热性能，有助于散热和提高功率密度。
应用领域
DMN10H099SFG-7 极其适用于多种应用领域，包括但不限于：
开关电源: 其高效能和低导通电阻使其成为开关电源中的理想选择，有助于增加能量转换效率，减小热损耗。
电源管理: 在各种电源管理系统中，能够有效地进行电压调节和电流管理，确保各类负载的稳定运行。
电动汽车: 随着电动汽车技术的发展，DMN10H099SFG-7 的高电压和高电流能力使其成为电动汽车电源系统中不可或缺的基础元件。
工业控制: 适用于各种工业控制系统，如伺服驱动、电机控制和工厂自动化设备，保证系统的高效可靠。
消费电子: 也广泛应用于家电和移动设备中，以提高能效和性能。
总结
DMN10H099SFG-7 是一款高效率、高功率密度的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的性能和多功能性，能够满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。无论是在电源管理、开关电源还是工业控制等各种应用中，该器件都能提供优异的性能，是设计工程师的理想选择。