晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 450V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 90mV @ 6mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 30mA,10V |
功率 - 最大值 | 806mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT459QTA 是由美台 (DIODES) 提供的一款小型表面贴装型 NPN 型晶体管,封装规格为 SOT-23-3。该晶体管以其优异的电气特性、可靠性和宽广的应用范围,适用于多种电子电路设计,尤其是低功耗设备和高频率应用中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流 (Ic):150mA
最大集射极击穿电压 (Vce):450V
最大 Vce 饱和压降:90mV (在 6mA 和 50mA 时)
最大集电极截止电流 (Ic(off)):100nA
最小直流电流增益 (hFE):50 (在 30mA,10V 时)
最大功率:806mW
频率跃迁:50MHz
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23-3 (也支持 TO-236-3,SC-59)
FMMT459QTA 的电流增益 (hFE) 在额定条件下能够达到50,意味着该晶体管能够在适当条件下提供自治和高效的放大能力。其集电极-发射极饱和压降 Vce(sat) 在 6mA 和 50mA 的应用场景下分别为最大90mV,使得在开关状态下可以实现极低的功率损耗。这种低压降特性使得 FMMT459QTA 非常适合低功耗的设计需求,有助于提升整体电路的能效。
此外,其最大集电极电流 (Ic) 达到 150mA,能够满足多种中等功率的应用,而其高达 450V 的击穿电压确保了在高电压环境下的安全运行。上述参数使得 FMMT459QTA 成为高压共源放大器、电源开关和负载驱动电路等应用的理想选择。
FMMT459QTA 的广泛应用领域包括但不限于:
FMMT459QTA 采用 SOT-23-3 封装,这种小型表面贴装封装不仅占用空间小,而且有助于提高电路的密度和整体性能。与其他表面贴装元件相比,SOT-23-3 提供了良好的散热性能,适合在高温特性要求的应用中使用。其焊接性能优良,适合于自动化贴片技术,有助于提高生产效率。
FMMT459QTA 是一种性能优异、应用广泛的 NPN 小信号晶体管,具备高击穿电压、低功率消耗和高频特性,适用于多个领域的要求。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子应用中,其可靠性和高效性都使它成为了一款理想的选择。随着电子设备日益向小型化、高效率的方向发展,FMMT459QTA 的优越特性将满足现代电子设计中对性能的严格要求。