DMN15H310SE-13
DMN15H310SE-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta），7.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 310 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMN15H310SE-13手册
DMN15H310SE-13概述
DMN15H310SE-13 产品概述
一、产品简介
DMN15H310SE-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为广泛的应用场景设计，能够在高电压环境下提供可靠的电流控制。该元器件具有较高的漏源电压（Vds）和出色的连续电流特性，适用于消费电子、电源管理、能源转换等领域。
二、关键参数
FET 类型及技术：该产品为 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物场效应晶体管技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
漏源电压（Vdss）：DMN15H310SE-13 的最大漏源电压为 150V，适合高电压应用，为设计者提供足够的安全余量。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件的连续漏极电流可达到 2A，而在更高的设备温度（即接线温度 Tc）下可达到 7.1A，展现出优秀的热特性。
导通电阻（Rds(on)）：该器件在 10V 的栅极驱动下，1.5A 电流下最大导通电阻为 310 毫欧，确保在实际应用中提供较低的功耗。
栅源电压阈值（Vgs(th)）：在 250µA 的条件下，该互补器件的最大栅极阈值电压为 3V，这为更灵活的驱动设计提供了可能。
栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷为 8.7nC，表明该器件具有较快的开关速度，适合高频应用。
输入电容（Ciss）：在 25V 下，最大输入电容为 405pF，低输入电容有助于减少驱动电路的负担。
功率耗散：该产品的最大功率耗散为 1.9W（环境温度下），能够在合理的散热设计下稳定工作。
工作温度范围：DMN15H310SE-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境和高温场合。
封装类型：采用 SOT-223 表面贴装封装，符合现代紧凑型设计要求，便于集成到各种电路板中。
三、应用领域
DMN15H310SE-13 的应用范围非常广泛，主要包括但不限于以下领域：
- 电源管理：作为开关元件用于降压转换器、升压转换器和电源适配器等电源管理设备。
- 驱动电路：驱动电机、继电器和其他日常电气设备。
- 消费电子：在电视、音响、电脑等消费电子产品中用于能量转换和电流控制。
- 汽车电子：适合用于车辆的动力管理系统和电子控制单元(ECU)中，支持高压和高温环境的工作。
- 工业控制：应用于各种工业自动化设备中，以实现高效的电能转换和控制。
四、总结
DMN15H310SE-13 是一款经过精心设计、适应范围广泛的 N 通道 MOSFET。其高漏源电压、高连续电流能力和低导通电阻特性，使其成为设计高效可靠电子设备的理想选择。无论是在高温、高压或是复杂的环境中，其稳定性和可靠性都体现了 DIODES（美台）品牌对产品质量的承诺。借助于此产品，工程师们可以更轻松地满足现代电子产品的性能和能效要求。