注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMT8012LK3-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.398g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W 80V 44A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
1777(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.27按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.27
--
100+
￥2.72
--
1250+
￥2.47
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMT8012LK3-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1949pF @ 40V |
DMT8012LK3-13手册
无数据
DMT8012LK3-13概述
DMT8012LK3-13 电子元器件产品概述
一、产品简介
DMT8012LK3-13 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优异的电流承受能力和较低的导通电阻。该型号特别适合高性能开关应用，可广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动及负载开关等多种领域。由于其高达 44A 的连续漏极电流能力、80V 的漏源电压以及良好的热性能，使其在紧凑的电路设计中表现出色。
二、主要参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 电流: 连续漏极电流 (Id) 44A（在结温 Tc=25°C 下）
- 导通电阻 (Rds(on)): 17 毫欧 @ 12A，10V (最大值)
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
- 最大驱动电压 (Vgs): ±20V
- 功率耗散: 最大值 2.7W（在环境温度 Ta 下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: TO-252 (DPAK)
- 漏源电压 (Vdss): 80V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 34nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 1949pF @ 40V
三、应用场景
DMT8012LK3-13 MOSFET 的设计使其适用于多种应用场景，包括：
- 电源管理: 其高电流能力与低导通电阻有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。
- DC-DC 转换器: MSP（主开关功率管和同步整流 MOSFET）功能的组合优化可以实现高效的电能转换。
- 电机驱动: 在驱动电机时，能够提供快速开关，提升系统响应速度和效率。
- 负载开关: 可作为高效负载切换开关，有助于保护电路和降低待机功耗。
四、技术特点
- 低导通电阻: DMT8012LK3-13 在额定条件下具有非常低的导通电阻，意味着在开启状态下其能量损耗更小，大幅提高整体系统的效率。
- 高热稳定性: 该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其适合各种苛刻环境下的应用。
- 易于集成: 采用TO-252表面贴装封装，便于集成到自动化线路板生产中，提高生产效率。
- 良好的开关特性: 快速的开关特性使其在高频应用中得以发挥，能够满足对速度和响应迅速的要求。
五、总结
DMT8012LK3-13 N 通道 MOSFET 结合了高电流能力、低导通电阻和优越的热特性，已经成为目前市场上具有竞争力的电子元器件，适用于各种高效能应用。无论是电源管理还是高频转换，其出色的性能都得到广泛认可。选用 DMT8012LK3-13 作为设计方案的一部分，将为用户提供更加可靠和高效的电路解决方案。