时钟频率 | 104MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | FLASH - NOR | 写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
存储容量 | 16Mb (2M x 8) | 存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 2.1V |
GD25LQ16CTIGR 是一款由北京兆易创新(Gigadevice)生产的高性能 NAND Flash 存储器,采用先进的 SPI 接口技术,专为嵌入式系统和消费电子产品设计。其主要特点包括出色的容量、优良的工作频率和适应广泛的工作温度范围,满足多种应用需求。
这款 NOR Flash 的存储容量为 16 兆位(2M x 8),可以满足对存储大量数据和程序代码的需求。采用 SPI(串行外设接口)四通道 I/O 技术,使其在数据传输方面具备更高的效率,时钟频率可达到 104MHz,相较于传统的 SPI 接口,极大提高了数据读写的速度。
写周期时间为 50µs(字)和 2.4ms(页),这意味着在写入数据或进行擦除操作时,可实现快速的响应,适合需要快速程序更新和数据存取的场景。这在嵌入式系统中,尤其在需要频繁更新固件或参数的应用中,表现尤为突出。
GD25LQ16CTIGR 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,使得其适用于广泛的工业环境及极端气候条件。此特性确保了该产品在各种应用环境下的稳定性,能够长时间运行而不出现故障。
此外,该产品采用的 FLASH - NOR 技术具有非易失性,意味着在断电情况下存储的数据不会丢失。这对于需要长时间保存数据的应用场景而言,显得尤为重要,特别是在自动化控制、物联网设备和家电产品中。
GD25LQ16CTIGR 的供电电压范围为 1.65V 至 2.1V,适配现代低功耗设计的需求,是低电压操作系统的理想选择。该电压范围不仅保持了高效能,还有助于降低电池的功耗,从而延长设备的使用寿命。
该产品采用 8-SOP(Small Outline Package)封装,以方便 Surface Mount Technology(表面贴装技术)进行快速安装。SOP 封装设计小巧,适合密集布局的电路板,尤其在空间有限的情况下,为电子设计师提供了更大的灵活性。
GD25LQ16CTIGR 广泛适用于各类电子产品,包括:
总的来说,GD25LQ16CTIGR 是一款兼具高速、高效及高可靠性的 FLASH 存储器,是现代电子设计必不可少的关键元器件。凭借其卓越的性能指标与广泛的应用领域,该型产品为开发创新的电子系统提供了稳定与强大的支持。对于工程师和设计师而言,选择 GD25LQ16CTIGR 不仅是选择了一款功能强大的存储器,更是选择了一种可靠的、可持续的技术解决方案。