商品分类 | DDR SDRAM | 存储器构架(格式) | SDRAM DDR3L |
存储容量 | 4Gbit | 工作温度 | -40℃~+95℃ |
工作电压 | 1.28V~1.45V | 时钟频率(fc) | 933MHz |
K4B4G1646E-BYMA 是三星(SAMSUNG)推出的一款动态随机存取存储器(DRAM),采用FBGA-96封装,尺寸为7.5mm x 13.3mm。这款DRAM致力于为现代电子设备提供高容量、高性能的存储解决方案,适用于广泛的应用场景,包括移动设备、个人电脑、服务器及各种消费类电子产品。
高性能: K4B4G1646E-BYMA 采用了先进的制造工艺,有效提升了读写速度,支持高速数据传输。其设计使得大容量数据的处理变得更为高效,适应快速发展的数据处理需求。
低功耗: 该产品在功耗方面表现优秀,特别是在待机模式和动态操作中,具有较低的能耗,有助于延长移动设备的电池寿命,这在便携式和移动设备中显得尤为重要。
高可靠性: 三星作为全球领先的半导体制造商,K4B4G1646E-BYMA 经过严格的质量控制和测试,确保其在各种工作条件下的稳定性和可靠性,为用户提供更高的安全性和数据完整性。
高速缓存能力: K4B4G1646E-BYMA 的内部结构设计,优化了数据的访问速度,适用于要求高速缓存和快速多任务处理的场景,满足现代应用的需求,如视频播放、游戏以及大型应用程序的运行。
K4B4G1646E-BYMA 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
随着智能手机、平板电脑、物联网设备及各类消费电子产品的市场需求不断增长,电子产品对内存的要求愈加严苛。K4B4G1646E-BYMA 具备了优异的存储性能、处理速度和能耗控制,能够有效满足市场上对高性能内存的需求。同时,三星在半导体行业中的强大背景和技术积累,为 K4B4G1646E-BYMA 的市场竞争力提供了有力保障。
K4B4G1646E-BYMA DRAM 是一款功能强大、可靠性高的内存解决方案,能够有效支撑现代电子产品的性能需求,适用于多种场景及应用。其低功耗、高速度与高密度的优势,让这款产品在竞争激烈的市场环境中脱颖而出,是设计师和开发者值得信赖的选择。随着技术的进步和市场的变化,该款DRAM的应用潜力仍将持续扩大。