NCE70T900I 产品实物图片
NCE70T900I 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE70T900I

商品编码: BM0124732531
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-251
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 46W 700V 5A 1个N沟道 TO-251
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.83
按整 :
管(1管有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.83
--
100+
¥1.47
--
1000+
¥1.31
--
2000+
¥1.23
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE70T900I参数

功率(Pd)46W反向传输电容(Crss@Vds)0.5pF@480V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)820mΩ@10V,2.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V
漏源电压(Vdss)700V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)370pF@50V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

NCE70T900I手册

empty-page
无数据

NCE70T900I概述

NCE70T900I 产品概述

一、基本信息

NCE70T900I 是由新洁能(NCE)制造的一款 N 沟道场效应管(MOSFET),其额定功率达到 46W,最高耐压可达 700V,额定电流 5A,采用 TO-251 封装。这款 MOSFET 由于其优异的性能和较高的可靠性,广泛应用于工业电源、电力控制、LED 驱动以及消费电子等多个领域。

二、技术特点

  1. 高耐压和高电流能力
    NCE70T900I 的额定耐压可达 700V,充分满足电源设计中对高耐压器件的需求。其5A的电流能力也为驱动重负载提供了可靠保障,使其在高功率应用中表现出色。

  2. 低导通电阻
    该MOSFET 具有较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在开关操作时,能量损耗较少,从而提高系统的整体效率。低导通电阻特性对于降低热量产生和提升电源效率尤为重要。

  3. 快速开关特性
    NCE70T900I 的快速开关特性使其适用于高频率的开关电源设计,这能够有效提升电源的切换效率,减小电源的整体体积,使其更具市场竞争力。

  4. 出色的热管理性能
    采用TO-251封装,NCE70T900I 有利于散热,增加了系统的稳定性。在设计时,需要合理安排散热设计,以确保在较高负载情况下能够保持良好的工作温度。

三、应用领域

NCE70T900I 的应用范围广泛,主要包括但不限于以下几个领域:

  1. 电源供应
    由于其高耐压和高电流能力,NCE70T900I 非常适合用于开关电源(SMPS)和电跟踪电源(PFC),能够提供稳定的输出功率。

  2. 电机驱动
    在电动机控制领域,其低导通电阻和高开关速度可以用于步进电机和直流电机的驱动,提升系统的精度和响应速度。

  3. LED驱动电源
    随着LED技术的广泛应用,NCE70T900I 也被用于LED驱动电源中,尤其是在需要精确电流控制和高效能的场景中。

  4. 家电和消费电子
    该MOSFET 还适用于如电冰箱、洗衣机等家电设备的电源管理系统中,确保设备的高效与安全运行。

四、设计注意事项

在使用 NCE70T900I 时,设计人员需要注意以下几点:

  1. 散热设计
    尽管 TO-251 封装有良好的散热性能,但在高功率或长时间工作场合,应确保MOSFET有适当的散热措施,如散热器或风扇等,以避免过热导致器件损坏。

  2. 驱动电路设计
    由于 MOSFET 的控制信号需要满足一定的电压和电流要求,设计合适的驱动电路可以确保 MOSFET 在开关操作时能够快速响应,提高整体电源效率。

  3. 保护电路
    为避免过电压和过电流情况,设计合适的保护电路(如 TVS(二极管)或熔断保护),可以延长 MOSFET 的使用寿命并提升整个系统的安全性。

五、结论

NCE70T900I 是一款优秀的高压 N 沟道 MOSFET,以其高效、稳定的性能和广泛的适用性,成为了许多电子设备设计中的重要组成部分。凭借其高耐压、低导通电阻、优良开关特性等特点,这款元器件将为电子产业提供可靠的支持和推动力。对于需要高效能、高稳定性的应用环境,NCE70T900I 无疑是一个理想的选择。