功率(Pd) | 46W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.5pF@480V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 820mΩ@10V,2.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 700V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 370pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
NCE70T900I 是由新洁能(NCE)制造的一款 N 沟道场效应管(MOSFET),其额定功率达到 46W,最高耐压可达 700V,额定电流 5A,采用 TO-251 封装。这款 MOSFET 由于其优异的性能和较高的可靠性,广泛应用于工业电源、电力控制、LED 驱动以及消费电子等多个领域。
高耐压和高电流能力
NCE70T900I 的额定耐压可达 700V,充分满足电源设计中对高耐压器件的需求。其5A的电流能力也为驱动重负载提供了可靠保障,使其在高功率应用中表现出色。
低导通电阻
该MOSFET 具有较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在开关操作时,能量损耗较少,从而提高系统的整体效率。低导通电阻特性对于降低热量产生和提升电源效率尤为重要。
快速开关特性
NCE70T900I 的快速开关特性使其适用于高频率的开关电源设计,这能够有效提升电源的切换效率,减小电源的整体体积,使其更具市场竞争力。
出色的热管理性能
采用TO-251封装,NCE70T900I 有利于散热,增加了系统的稳定性。在设计时,需要合理安排散热设计,以确保在较高负载情况下能够保持良好的工作温度。
NCE70T900I 的应用范围广泛,主要包括但不限于以下几个领域:
电源供应
由于其高耐压和高电流能力,NCE70T900I 非常适合用于开关电源(SMPS)和电跟踪电源(PFC),能够提供稳定的输出功率。
电机驱动
在电动机控制领域,其低导通电阻和高开关速度可以用于步进电机和直流电机的驱动,提升系统的精度和响应速度。
LED驱动电源
随着LED技术的广泛应用,NCE70T900I 也被用于LED驱动电源中,尤其是在需要精确电流控制和高效能的场景中。
家电和消费电子
该MOSFET 还适用于如电冰箱、洗衣机等家电设备的电源管理系统中,确保设备的高效与安全运行。
在使用 NCE70T900I 时,设计人员需要注意以下几点:
散热设计
尽管 TO-251 封装有良好的散热性能,但在高功率或长时间工作场合,应确保MOSFET有适当的散热措施,如散热器或风扇等,以避免过热导致器件损坏。
驱动电路设计
由于 MOSFET 的控制信号需要满足一定的电压和电流要求,设计合适的驱动电路可以确保 MOSFET 在开关操作时能够快速响应,提高整体电源效率。
保护电路
为避免过电压和过电流情况,设计合适的保护电路(如 TVS(二极管)或熔断保护),可以延长 MOSFET 的使用寿命并提升整个系统的安全性。
NCE70T900I 是一款优秀的高压 N 沟道 MOSFET,以其高效、稳定的性能和广泛的适用性,成为了许多电子设备设计中的重要组成部分。凭借其高耐压、低导通电阻、优良开关特性等特点,这款元器件将为电子产业提供可靠的支持和推动力。对于需要高效能、高稳定性的应用环境,NCE70T900I 无疑是一个理想的选择。