BSL215CH6327XTSA1 产品实物图片
BSL215CH6327XTSA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSL215CH6327XTSA1

商品编码: BM0123301327
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TSOP6-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.114g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个N沟道+1个P沟道 TSOP-6-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.21
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.21
--
200+
¥0.925
--
1500+
¥0.805
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSL215CH6327XTSA1参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)140 毫欧 @ 1.5A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.73nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)143pF @ 10V
功率 - 最大值500mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装PG-TSOP-6-6

BSL215CH6327XTSA1手册

empty-page
无数据

BSL215CH6327XTSA1概述

BSL215CH6327XTSA1 产品概述

概述

BSL215CH6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的互补型场效应管(MOSFET),采用SOT-23-6封装(PG-TSOP-6-6),其具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。这款器件包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,非常适合用于低电压和小功率的高频开关电源、驱动电路以及其它数字电路。

主要参数

  1. FET类型:互补型N沟道和P沟道
  2. 功能特性:具有逻辑电平栅极,可在2.5V驱动条件下正常工作。
  3. 漏源电压(Vdss):额定最大可达20V,适合小型电子设备中的电源管理应用。
  4. 连续漏极电流(Id):最大1.5A,可支持中等负载的工作要求。
  5. 导通电阻:在Vgs为4.5V、Id为1.5A时,最大导通电阻仅为140毫欧,保证了低导通损耗和高效率。
  6. 栅极阈值电压(Vgs(th)):在3.7µA的漏电流条件下,最大阈值电压为1.2V,确保器件在低电压下能够快速开启。
  7. 栅极电荷(Qg):最大0.73nC,说明其在高频切换中的高速响应能力,有助于提升整体效率。
  8. 输入电容(Ciss):在Vds为10V时最大为143pF,降低了高频操作时的输入功耗。
  9. 功耗:最大功率可达到500mW,适合中小功率应用。
  10. 工作温度范围:能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作,适应各种苛刻环境条件。

应用场景

BSL215CH6327XTSA1的特性使其非常适合多种应用领域,包括但不限于:

  • 电源管理IC:可用于稳压电源、DC-DC转换器等电源管理电路,提高电能转换效率。
  • 开关电源:在电源管理和信号传输的过程中起到关键作用,特别是在移动设备和便携式电子设备中。
  • 电机驱动:适合用于小型电机或风扇驱动的控制电路。
  • 音频功率放大:在音频设备中,用于驱动小功率扬声器。
  • 逻辑电路:可用于构建CMOS逻辑门,适合用于数字电路和信号处理设备。

封装及安装

BSL215CH6327XTSA1采用PG-TSOP-6-6封装,表面贴装型设计,适合自动化生产线的高效组装。其小型化的封装有助于空间受限的应用,如智能手机、可穿戴设备和其他通信设备。

总结

BSL215CH6327XTSA1是一款具有良好性能、可靠性和适用性的高端互补型MOSFET。其出色的电气特性和宽广的工作温度范围使得它在多种电子设备和应用场合中表现优异。无论是在对功率和效率有高要求的电源管理应用,还是在需要快速切换和逻辑控制的数字电路中,BSL215CH6327XTSA1都堪称理想选择。作为现代电子设计中的重要组成部分,它将为系统性能的提升和创新性应用的发展开辟新的可能性。