BGB741L7ESDE6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BGB741L7ESDE6327XTSA1

商品编码: BM0123300906
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TSLP-7-1
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
The BGB741L7ESD is a high performance broadband low noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) bipolar technology.
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.81
按整 :
圆盘(1圆盘有7500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.81
--
100+
¥3.23
--
500+
¥2.99
--
1875+
¥2.9
--
3750+
¥2.83
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BGB741L7ESDE6327XTSA1参数

频率50MHz ~ 3.5GHzP1dB-6.5dBm
增益19.5dB噪声系数1dB
射频类型手机,RKE,WiFi电压 - 供电1.8V ~ 4V
电流 - 供电30mA测试频率1.5GHz
安装类型表面贴装型封装/外壳6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装TSLP-7-1

BGB741L7ESDE6327XTSA1手册

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BGB741L7ESDE6327XTSA1概述

BGB741L7ESDE6327XTSA1 产品概述

1. 引言

BGB741L7ESDE6327XTSA1 是英飞凌公司推出的一款高性能宽带低噪声放大器(LNA),该产品基于硅锗碳(SiGe:C)双极技术制成,专为满足高频射频应用而设计。其广泛应用于手机、遥控钥匙(RKE)和WiFi等领域,确保设备在各种工作条件下具备稳定的性能和优异的信号放大效果。

2. 基本特性

本产品的频率响应范围为50MHz至3.5GHz,能够覆盖多个射频应用频段。其在1.5GHz测试频率下的增益为19.5dB,这对于改善整体系统的信噪比(SNR)至关重要。BGB741L7ESDE6327XTSA1 的噪声系数仅为1dB,意味着在低噪声放大的场景下,能够有效抑制不必要的噪声,提高信号质量。

3. 性能参数

  • 典型增益:19.5dB,显著提高接收信号的强度。
  • P1dB: -6.5dBm,保证了在输出功率临界点的稳定性,适应各种信号源。
  • 工作频率范围:50MHz至3.5GHz,能够应对多种RF信号。
  • 噪声系数:1dB,优异的低噪声特性确保信号放大过程中噪声的抑制。

4. 供电参数

该放大器的供电电压范围为1.8V至4V,在较低电压条件下仍能维持稳定的工作性能,电流消耗约为30mA。这种低功耗设计不仅提升了设备的能效,同时也适合于对电源敏感的移动设备。

5. 封装与安装

BGB741L7ESDE6327XTSA1采用TSLP-7-1封装,适合表面贴装(SMD)类型。此类封装设计便于装置的小型化和高密度电路的构造,满足现代电子设备对于空间的严格要求。同时,裸露焊盘设计提供了良好的热管理和电气连接性能,确保了在高频操作下的稳定性。

6. 应用领域

这款低噪声放大器可以广泛应用于多个领域:

  • 手机:提升信号接收能力,增强通话清晰度与网络稳定性。
  • 遥控钥匙(RKE):在汽车等设备中的应用,提升远程操控的可靠性。
  • WiFi设备:提高无线通信的覆盖范围与速度,改善用户的上网体验。

7. 性能优势

  • 高增益与低噪声:使其成为新一代射频前端设计的理想选择。
  • 广泛的频率范围:为多种频率应用提供灵活性,从无线通信到短距离数据传输均能胜任。
  • 高能效:在保证性能的同时,能够有效提升系统的功耗管理,为产品延长了使用寿命。

8. 结论

BGB741L7ESDE6327XTSA1 以其卓越的性能参数和优异的应用兼容性,成为现代射频产品设计中的理想元件。作为基于SiGe:C技术制造的低噪声放大器,它不仅满足高频应用的要求,还提升了系统的整体可靠性和效率。无论是在手机、RKE,还是在WiFi等领域,该产品都展现出强大的适应能力和出色的市场竞争力,是开发先进射频解决方案的关键元件。