频率 | 50MHz ~ 3.5GHz | P1dB | -6.5dBm |
增益 | 19.5dB | 噪声系数 | 1dB |
射频类型 | 手机,RKE,WiFi | 电压 - 供电 | 1.8V ~ 4V |
电流 - 供电 | 30mA | 测试频率 | 1.5GHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | TSLP-7-1 |
BGB741L7ESDE6327XTSA1 是英飞凌公司推出的一款高性能宽带低噪声放大器(LNA),该产品基于硅锗碳(SiGe:C)双极技术制成,专为满足高频射频应用而设计。其广泛应用于手机、遥控钥匙(RKE)和WiFi等领域,确保设备在各种工作条件下具备稳定的性能和优异的信号放大效果。
本产品的频率响应范围为50MHz至3.5GHz,能够覆盖多个射频应用频段。其在1.5GHz测试频率下的增益为19.5dB,这对于改善整体系统的信噪比(SNR)至关重要。BGB741L7ESDE6327XTSA1 的噪声系数仅为1dB,意味着在低噪声放大的场景下,能够有效抑制不必要的噪声,提高信号质量。
该放大器的供电电压范围为1.8V至4V,在较低电压条件下仍能维持稳定的工作性能,电流消耗约为30mA。这种低功耗设计不仅提升了设备的能效,同时也适合于对电源敏感的移动设备。
BGB741L7ESDE6327XTSA1采用TSLP-7-1封装,适合表面贴装(SMD)类型。此类封装设计便于装置的小型化和高密度电路的构造,满足现代电子设备对于空间的严格要求。同时,裸露焊盘设计提供了良好的热管理和电气连接性能,确保了在高频操作下的稳定性。
这款低噪声放大器可以广泛应用于多个领域:
BGB741L7ESDE6327XTSA1 以其卓越的性能参数和优异的应用兼容性,成为现代射频产品设计中的理想元件。作为基于SiGe:C技术制造的低噪声放大器,它不仅满足高频应用的要求,还提升了系统的整体可靠性和效率。无论是在手机、RKE,还是在WiFi等领域,该产品都展现出强大的适应能力和出色的市场竞争力,是开发先进射频解决方案的关键元件。