IPD80R1K4CEATMA1

产品概述：IPD80R1K4CEATMA1

概述

IPD80R1K4CEATMA1是由英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N沟道MOSFET。这款场效应管在电力电子应用中提供了卓越的电压和电流承载能力，广泛应用于高压电源、开关电源和电机驱动等领域。其出色的规格和灵活的特性使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分。

主要特性

• FET 类型: N通道
• 技术类型: MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 该产品能够承受高达800V的漏极-源极电压，适用于高压应用。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C的情况下，允许的连续漏极电流为3.9A（在封装温度Tc下）。这一特性使其在高功率密度应用中具有良好的性能。
• 驱动电压: 最优的驱动电压为10V，允许最小Rds On以优化开关效率。
• 导通电阻: 在2.3A和10V的条件下，最大导通电阻为1.4Ω，可以有效降低功率损耗和热失效风险。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为3.9V@240µA，确保在较低的栅极电压下也能保证MOSFET的良好导通性能。
• 栅极电荷: 在10V下，最大栅极电荷(Qg)为23nC。这一特性使得该器件在开关速度和效率上具有一定的优势。
• 输入电容(Ciss): 对于100V时的输入电容，最大值为570pF，降低了驱动电路的负担。
• 功率耗散: 其最大功率耗散能力为63W，确保在高负载条件下可靠工作。
• 工作温度范围: 从-55°C到150°C，适用于极端环境下的应用。
• 封装类型: 本器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，便于自动化生产和紧凑型设计。

应用场景

IPD80R1K4CEATMA1因其优异的电气性能而广泛应用于多种领域，包括但不限于：

1. 开关电源: 由于其高电压和电流能力，该MOSFET在开关电源中可以高效地转换能量，减少能量损耗并提高整体效率。
2. 电机控制: 在电动机驱动电路中，其快速开关特性能够有效控制电机的启动、调速和停止，提高系统的动态响应能力。
3. 电力管理: 在电力转换和分配设备中，IPD80R1K4CEATMA1能够承受高电压和电流，确保系统稳定性。
4. 消费者电子产品: 可用于家用电器、LED驱动电源等高效电源管理及控制系统。

性能优势

IPD80R1K4CEATMA1产品设计考虑到了高压、高电流应用的实际需求，其高耐压和出色的导通特性使其在尖端技术中具有竞争力。同时，其宽广的工作温度范围和可靠的功率耗散特性，确保了该产品在各种极端工作条件下的稳定性与可靠性。

总结

IPD80R1K4CEATMA1是英飞凌的一款高性能N沟道MOSFET，以其优越的电压和电流特性、灵活的应用范围和卓越的热管理能力而受到广泛关注。无论是在电源转换、马达控制还是其他高功率应用中，其稳定性和可靠性都为电子工程师提供了良好的解决方案和设计选择。选择IPD80R1K4CEATMA1，意味着选择先进技术与优质性能的结合，为您的设计带来更高的效率和更低的能耗。