电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 28V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 44 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 21V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ5255BT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能稳压二极管。其主要用途是在电子电路中提供稳定的电压参考,能够有效地抑制电压波动,对各种敏感电子设备进行保护,确保系统的稳定运行。
MMSZ5255BT1G 稳压二极管具有一系列优越的特性,使其在电源管理和电压保护应用场景中表现出色:
高稳定性:28V 的标称齐纳电压配合±5% 的容差,使该器件能够在多种工作条件下提供可靠的电压参考,适用于要求严格的电路设计。
紧凑封装:SOD-123 封装设计使其适合于现代电子设备的设计需求,能够节省电路板的空间,方便大规模生产和布局。
广泛的工作温度范围:-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围使 MMSZ5255BT1G 在高温环境和低温环境下均能正常工作,适用于自动化设备、汽车电子和工业控制体系等苛刻环境。
低反向泄漏电流:在 21V 的工作电压下,仅有 100nA 的反向泄漏电流,极大地降低了能量损耗,提高了电路的效率,对于电池供电或能量敏感型设备尤其重要。
良好的动态响应:44 Ω 的最大阻抗使得该稳压二极管能够快速响应电压变化,适用于高频信号的稳压与保护。
MMSZ5255BT1G 的应用领域非常广泛,包括但不限于:
MMSZ5255BT1G 稳压二极管具备多项优秀性能,适合在要求高稳定性和低功耗的电子应用中使用。它的紧凑封装、广泛的工作温度范围和低反向泄漏特性,使其成为各类电源管理和电压保护应用的理想选择。随着电子设备向高集成、高效能发展,MMSZ5255BT1G 将继续扮演重要角色。若您需要一款可靠的稳压器件,MMSZ5255BT1G 无疑是您的优选。