MMUN2133LT1G
MMUN2133LT1G参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMUN2133LT1G手册
MMUN2133LT1G概述
产品概述：MMUN2133LT1G - 数字晶体管
在现代电子电路设计中，晶体管作为一种关键的电子元器件，广泛应用于放大、开关和信号处理等功能。其中，MMUN2133LT1G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能 PNP 型数字晶体管，具有优良的电气特性，适合用于各种消费电子和工业设备的应用。
基本特性：
晶体管类型： MMUN2133LT1G 是一款 PNP 型预偏置晶体管。该设计使得其在开关和放大电路中具有优良的控制特性，尤其适合应用于需要快速开关和高信号增益的场合。
电流与电压规格：
- 最大集电极电流（Ic）：100mA，适合处理中等负载的应用，能够稳定驱动各种负载。
- 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，该特性保证了其在高电压环境下的安全性，适合多种电源电压的应用需求。
电流增益（hFE）： 在5mA 的集电极电流和10V 的电压下，MMUN2133LT1G 的直流电流增益（hFE）最小值可达80。该特性使得晶体管有效增强输入信号的幅度，无论是在低功耗放大器还是在开关电路中，都能够提供良好的增益性能。
饱和压降和截止电流： 晶体管在工作时，Vce 的饱和压降最大为250mV（在300µA的基极电流和10mA的集电极电流条件下）。此外，其集电极截止电流最大不超过500nA，显示出其良好的关断特性，确保无信号时的低功耗表现。
功率处理能力： 该器件的最大功耗为246mW，充分满足了多样化的功率需求，适合于便携设备、消费电子及车载设备等应用。
封装与安装类型： MMUN2133LT1G 采用 SOT-23-3（TO-236）小型表面贴装型封装，具有良好的热性能和空间效率，理想用于紧凑型电路板设计。小尺寸的封装还可以帮助降低整体电子设备的尺寸，适合现代电子产品对体积和重量的高要求。
应用场景：
由于其卓越的电气性能，MMUN2133LT1G 适合于以下应用场合：
- 开关电路：例如控制LED灯或继电器的自动开关，极低的饱和压降使得其能效更高。
- 放大器：在音频放大或信号处理电路中，由于其高增益的特性，能够有效提高弱信号的幅度。
- 数字电路：适用于各种数字应用，比如逻辑电路、脉冲生成和计数器设计。
总结：
综上所述，MMUN2133LT1G 是一款性能优越、功能多样的 PNP 数字晶体管，其兼具高电流增益、低饱和压降和小型封装等特点，非常适用于需要高效开关控制和信号放大的电子应用。无论是在消费电子，还是在工业设备领域，MMUN2133LT1G 都展示出其强大的适应性和广泛的市场应用前景。选择 MMUN2133LT1G，意味着选择了可靠性和高性能的保障，能够为您的设计提供有效的支持和解决方案。