注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PMT280ENEAX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-223-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 770mW 100V 1.5A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.5按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.5
--
10+
￥1.15
--
500+
￥1.05
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMT280ENEAX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 385 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 195pF @ 50V |
PMT280ENEAX手册
无数据
PMT280ENEAX概述
产品概述：PMT280ENEAX
PMT280ENEAX是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由Nexperia USA Inc.制造，专为各种电源管理及开关应用而设计。其采用了表面贴装型（SMD）封装，具体封装类型为SOT-223-3，使得其在空间受限的应用场景中具有极佳的安装灵活性。
主要参数与特性
- 电流容量：在25°C环境下，PMT280ENEAX具有连续漏极电流（Id）为1.5A的能力，满足了中小功率开关应用的基本要求。
- 漏源电压：该器件可承受高达100V的漏源电压（Vdss），适合用于高压电源电路和功率管理系统。
- 导通电阻：PMT280ENEAX在10V的栅电压（Vgs）下，其最大导通电阻（Rds On）为385毫欧，保证了在高负载下良好的导通性能，减少了功耗以及发热量。
- 栅极驱动要求：该MOSFET在最小的栅极驱动电压（Vgs）为4.5V时，即可达到最佳导通状态，这让其在多种逻辑级别的控制电路中具备良好的兼容性。
- 开关性能：在栅极电荷（Qg）方面，PMT280ENEAX在10V条件下显示出最大值为6.8nC，这为快速开关提供了优越的性能，极大地提升了开关速度，适合高频开关电源应用。
热特性
PMT280ENEAX的功率耗散能力为770mW（在25°C环境下），使得其能够在持续工作中保持较低的温度。而其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），确保了在各种极端温度环境条件下都能保持可靠的性能。此外，器件能够承受高达±20V的栅电压，进一步增强了其应用的灵活性。
适用场景
PMT280ENEAX适合应用于各种电子设备中，如：
- DC-DC转换器：在功率转换及管理环节，作为开关元件，提高转换效率。
- 负载开关：在智能设备中，以其高额电流能力管理供电及负载情况。
- 马达驱动电路：为直流电机的控制提供高效而可靠的开关控制。
- 便携式电子设备：由于其小巧的SOT-223封装，适用于移动设备的电源管理。
整体评价
总体而言，PMT280ENEAX以其优越的电气性能及稳定性，成为了各种电源管理及开关应用中不可或缺的元器件。它不仅满足了常见应用的要求，同时也为高效、环保的电源系统打下坚实的基础。凭借其卓越的热特性和兼容性，这款MOSFET为电子设计工程师提供了可靠的解决方案，是现代电子设计中一款理想的选择。