PMV164ENEAR
PMV164ENEAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 218 毫欧 @ 1.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 640mW（Ta），5.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 30V |
PMV164ENEAR手册
PMV164ENEAR概述
PMV164ENEAR 产品概述
一、产品基本信息
PMV164ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），属于汽车级产品系列，符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 具备出色的电气性能和耐环境能力，是汽车电子及工业应用中理想的选择。
二、产品特点
电流和电压特性： PMV164ENEAR 支持最大的持续漏极电流为 1.6A，漏极源间最大电压达到 60V。这意味着它在较高电压和较大电流的应用中能够长时间稳定工作。
导通电阻和驱动电压： 不同漏极电流 Id 和栅极-源电压 Vgs 的导通电阻（Rds(on)）最大值为 218 毫欧（在 1.6A 和 10V 时测得）。此外，该MOSFET 在 4.5V 和 10V 的驱动电压下均能实现最优性能，使其在多种工作条件下具有良好的导电性。
热特性： PMV164ENEAR 具备出色的功率处理能力，最大功率耗散为 640mW（在环境温度 Ta 下）和 5.8W（在结温 Tc 下），这样的设计有效提高了器件在高温环境下的工作可靠性。这款组件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，适用于各种严苛的汽车环境。
栅极电荷和输入电容： 该型号 MOSFET 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷 (Qg) 最大值为 3.8nC，输入电容 (Ciss) 最大值为 110pF（在 30V 时测得）。这些特性表明其在快速开关应用中的高效性能，尤其适合于高频、大功率的应用场景。
封装类型： PMV164ENEAR 采用表面贴装的 TO-236AB 封装（SOT-23-3 封装形式），体积小巧，便于在各种尺寸的电路板上进行安装，特别适用于空间受限的设计。
三、应用领域
汽车电子： PMV164ENEAR 广泛应用于汽车电子控制单元（ECU）、电动助力转向（EPS）、电源供应模块等汽车应用中。其高温和高电压性能使其成为汽车行业的理想选择。
工业设备： 在工业控制系统中，该 MOSFET 可以用作开关元件，支持电机驱动、功率放大等功能，确保设备的高效运行。
消费电子： 此外，PMV164ENEAR 也适用于各种消费类电子产品中的电源管理、电池保护和功率转换等电路。
四、总结
PMV164ENEAR 是一款性能优异的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电流和电压特性、出色的热性能和小巧的封装设计，非常适合于汽车电子以及其他需要高温、高功率密度的应用。无论是在恶劣的环境条件下，还是在高频、大功率的应用场景中，PMV164ENEAR 都能稳定运行，保证系统的安全性和可靠性，成为工程师们在设计时的优先选择。