PMV20XNER
PMV20XNER参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），6.94W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150pF @ 15V |
PMV20XNER手册
PMV20XNER概述
产品概述：PMV20XNER N通道MOSFET
一、概述
PMV20XNER 是由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），特别设计用于要求较低导通电阻和高效率的应用。该器件采用先进的制造工艺，特性优越，适合用于负载开关、直流电机驱动、电源管理和其他需要高效开关性能的电路。
二、关键参数
电流承载能力：PMV20XNER 在标称环境温度 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 为 5.7A。其最大漏极源电压 (Vdss) 可达到 30V。这使得该MOSFET能够在广泛的应用场景中和各种负载条件下稳定工作。
导通电阻：该器件在 4.5V 的栅极驱动电压下，具有最大导通电阻 (Rds(on)) 为 23 毫欧，确保在开关过程中能量损耗最小，大大提高了电路的整体效率。
栅极阈值电压：在 250µA 的基准条件下，PMV20XNER 的阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 900mV，便于简单的逻辑控制和驱动，同时保证了良好的开关特性。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为 510mW（环境温度）和 6.94W（结温条件），允许更高的运行温度和更灵活的散热设计。
工作温度范围：PMV20XNER 可在极端环境下运作，工作温度范围达到 -55°C 至 150°C，适合各种工业及汽车应用。
三、封装与安装
PMV20XNER 采用 SOT-23-3 封装形式，这是一种广泛应用于表面贴装技术（SMT）的封装。其体积小、重度轻的特性，能有效利用 PCB 空间，并可提升信号传输速度及系统可靠性。
四、应用场景
PMV20XNER 以其优异的性能和可靠性，广泛应用于以下领域：
- 电源管理：高效电源开关、DC-DC 转换器，支持高频操作和高效能转换。
- 负载切换：驱动继电器、电机和其他负载的高效控制，尤其在便携式设备和家电中表现出色。
- 光电产品：在 LED 驱动和照明系统中提供有效的能量管理。
- 汽车电子：适合用于汽车电源分配和动力管理系统，能够承受复杂的工作条件。
五、总结
PMV20XNER N 通道 MOSFET 是一款高性能的电子元器件，具备多个优异的电气特性，适用于各类高效能电子应用。其小型化的 SOT-23-3 封装很容易集成于各种电路板设计中。无论是在工业、消费电子還是汽车的应用方面，PMV20XNER 的高电流承载能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围，均使其成为可靠的选择。通过采用该 MOSFET，工程师们可以有效提升产品的性能与效率，并满足市场对节能与高效能的需求。
参考技术资料
- Nexperia USA Inc. 产品手册
- 相关应用电路设计
PMV20XNER 在许多具体应用中都有出色的表现，提升电子产品的竞争力和市场响应能力。