制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 385 毫欧 @ 1.1A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 580mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.8nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 50V |
制造商与产品系列
PMV280ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能MOSFET器件,属于TrenchMOS™系列。Nexperia是一家全球知名的半导体制造商,以其高可靠性与高效能的电子元器件闻名,广泛应用于各类电子设备中。
基本特性
PMV280ENEAR 是一款N通道 MOSFET,适用于表面贴装(SMD)设计,采用了紧凑的TO-236AB封装(SOT-23-3类型),使其在空间受限的应用中表现出色。其引脚配置使得布局设计相对简单,适合各种PCB设计与集成。
电气参数
在25℃的环境温度下,该器件的最大连续漏电流(Id)为1.1A,在较高的门源电压(Vgs)下,可确保器件以最低的导通电阻进行高效的电流传输。具体而言,Max Rds(on)为385毫欧,确保了器件在460毫瓦(580mW Max)功率损耗下仍能稳定工作。
门极电压与导通特性
PMV280ENEAR预计在驱动电压为4.5V至10V条件下进行高效导通。这款MOSFET的阈值电压(Vgs(th))最大为2.7V(在250µA电流下),表明在较低的门电压下也能有效开启。这种特性特别适合于需要较低栅驱动电压的应用。
电压与温度范围
该器件的漏源电压(Vdss)为100V,允许其在高压应用中工作。温度方面,PMV280ENEAR的工作温度范围为-55°C至150°C,适应严苛环境,胜任工业、汽车等应用领域的需求。
电容与电荷特性
器件在输入电容(Ciss)下的最大值为190pF(在50V时测得),使其在快速开关应用中具有出色的性能。同时,栅极电荷(Qg)在10V时的最大值为6.8 nC,表明其在高频率操作下能够节省功率,减少开关损耗。
应用领域
由于其优异的电气性能,PMV280ENEAR广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、开关电源、LED驱动和其他需要高效功率开关的电子电路。尤其在移动设备、消费电子、汽车电子及高可靠性工业设备中,都是理想的选择。
结论
PMV280ENEAR N通道 MOSFET以其高效的导通、宽广的工作温度范围、较低的功耗和卓越的开关速度,成为现代电子设备中极具潜力的组件。随着对高能效和可靠性需求的不断上升,PMV280ENEAR正逐渐成为设计工程师在选材时的重要考虑,适应未来更复杂的电子应用场景。