PMV33UPE,215
PMV33UPE,215参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 490mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1820pF @ 10V |
PMV33UPE,215手册
PMV33UPE,215概述
PMV33UPE,215 产品概述
PMV33UPE,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，具有优异的电气特性和广泛的适用场景。这款场效应管采用了现代 MOSFET 技术，适用于多种电子应用，特别是在需要低导通电阻和高开关速度的电路中表现突出。以下将从多个方面详细介绍 PMV33UPE,215 的主要性能特点和应用领域。
1. 基本参数与特性
PMV33UPE,215 的电流容量为 4.4A（在 25°C 环境温度下的连续漏极电流），使其适合用于中小功率的电源管理和开关电路。这款 MOSFET 的最大漏源电压 (Vdss) 为 20V，能够有效处理低电压应用场景中的能量。此外，产品的工作温度范围广泛，能够承受高达 150°C 的结温，使其适用于严苛的工作环境。
2. 低导通电阻与高效驱动
在驱动电压方面，PMV33UPE,215 可以在 1.8V 和 4.5V 下实现出色的导通性能。其中，在 Vgs 为 4.5V 和 Id 为 3A 时，导通电阻 (Rds On) 的最大值为 36 毫欧，这意味着该器件能够显著降低功耗，提升整体电路的效率。此外，随着 Vgs 的变化，漏极电流和栅极电荷 (Qg) 也表现出良好的线性关系，最大栅极电荷为 22.1nC，这有助于提高开关速度，降低开关损耗。
3. 封装与安装
PMV33UPE,215 采用 TO-236AB（也称 SOT-23-3）封装，设计紧凑，适合表面贴装（SMD）技术，便于在现代电子电路板中集成。小型封装不仅节省空间，还可以提高电路的整体散热性能，适合于对空间有严格要求的应用领域。
4. 应用领域
凭借其卓越的电性能，PMV33UPE,215 在许多应用中都能发挥出重要的作用，主要包括但不限于：
- 电源管理：可用于DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理等电子设备，提供有效的电源开关控制。
- 开关电路：在家电、计算机和自动化设备中，作为负载开关，以实现高效的电力切换。
- 信号开关：可在音频、视频设备中作为信号选择器，快速切换不同信号源。
- 消费电子：适用于智能手机、平板电脑及其他移动设备的电源线路中，提升能效。
5. 结论
总的来说，PMV33UPE,215 以其优异的电气特性、高效率和广泛的适用性，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在高频应用还是高温环境中，它均展现出良好的可靠性和性能，助力工程师在设计中实现更高的能效和性能要求。对于任何需要高效电源管理和开关功能的电子产品，PMV33UPE,215 都是一个理想的选择。