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PMV50ENEAR
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 510mW；3.9W 30V 3.9A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
2116(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.12按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.12
--
200+
￥0.86
--
1500+
￥0.748
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMV50ENEAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 43 毫欧 @ 3.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），3.9W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 276pF @ 15V |
PMV50ENEAR手册
无数据
PMV50ENEAR概述
PMV50ENEAR 产品概述
一、产品简介
PMV50ENEAR是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由Nexperia USA Inc.制造。作为一款符合汽车行业标准的元器件，PMV50ENEAR经过AEC-Q101认证，确保其在高温和严苛环境下的可靠性。该MOSFET特别适合用于汽车电子、工业控制、电源管理及各种要求高开关效率的应用。
二、基本参数
- 制造商： Nexperia USA Inc.
- 系列： Automotive, AEC-Q101
- 零件状态： 有源
- 封装类型： SOT-23-3（TO-236AB）
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
三、电气特性
漏极电流 (Id) :
- 连续漏极电流为3.9A（在25°C环境温度下），提供了良好的驱动能力，适用于大多数中高功率应用。
导通电阻 (Rds(on)) :
- 最大导通电阻为43毫欧，条件是在Id=3.9A及Vgs=10V时。这一低导通电阻值意味着该MOSFET在导通状态下能显著减少功率损耗，提升系统的能效。
栅极阈值电压 (Vgs(th)) :
- 最大值为2.5V @ 250µA，允许在较低的栅极电压下实现开关操作，有助于提高电路的灵活性。
最大栅源电压 (Vgs) :
- 可达±20V，为设计师提供更多的设计余地，适用于不同的驱动需求。
功率耗散：
- 在环境温度下（Ta）最大功率耗散为510mW，而在结温（Tc）下可达3.9W。这使得PMV50ENEAR适应多种工作环境和负载条件。
漏源电压 (Vdss) :
- 该器件的最大漏源电压为30V，适合于多种常见的电源和开关应用。
输入电容 (Ciss) :
- 最大输入电容为276pF @ 15V，较小的输入电容有助于提高开关速度，同时降低开关损耗。
栅极电荷 (Qg) :
- 栅极电荷值为10nC @ 10V，这一特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，降低所需的驱动功率。
四、应用场景
PMV50ENEAR广泛应用于l汽车电子领域、开关电源、马达驱动和工业控制等多个领域。特别适合用于需要较高效率和可靠性的应用，例如高效的电源管理和高频开关电路，可以为用户提供更高的调节效率和更稳定的工作性能。
作为一款表面贴装型元器件，PMV50ENEAR在空间受限的环境中也能轻松实现高效的热管理，适合于现代电子产品中对轻薄和小型化的要求。
五、总结
PMV50ENEAR结合了低导通电阻、宽工作温度范围以及优良的电气特性，是一款兼具高性能和可靠性的N通道MOSFET。其汽车级别的设计标准和耐高温性能，使得它在各种严苛的环境中都能保持稳定的工作状态。无论是在汽车电子还是其他工业应用中，PMV50ENEAR都是工程师值得信赖的选择。