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PMV50EPEAR
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
0.017g
描述 :
场效应管(MOSFET) 310mW；455mW 30V 4.2A 1个P沟道 TO-236AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.16按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.16
--
200+
￥0.897
--
1500+
￥0.78
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMV50EPEAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），455mW（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 793pF @ 15V |
PMV50EPEAR手册
无数据
PMV50EPEAR概述
PMV50EPEAR 产品概述
制造商与基本信息 PMV50EPEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。作为一种表面贴装型器件，该器件具有广泛的应用场景，适合用于各种电力电子和开关电路中。其小巧的 TO-236AB 封装（也称为 SOT-23-3 或 SC-59）使其在空间受到限制的应用中尤为理想。
电气特性 PMV50EPEAR 的主要电气特性包括：
- 漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 4.2A。这一特性使其非常适合在需要中等负载电流的电路中使用。
- 漏源电压 (Vdss): 该器件可承受的最大漏源电压为 30V，确保其在许多低到中压供电的应用中可靠工作。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 45毫欧，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提高系统的整体效率。
- 栅极驱动电压 (Vgs): 该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，适于高压驱动需求，在设计灵活性上提供了很大的便利。
热特性 在功率耗散方面，PMV50EPEAR 提供了310mW（在环境温度下）和455mW（在芯片温度下）的最大功率耗散。这表明其在处理高负载电流时仍然能够保持良好的热稳定性。同时，该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境中正常工作。
栅极电荷与输入电容 PMV50EPEAR 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 19.2nC（在 10V 时），这使得在驱动和开关操作中具有良好的响应速度。同时，输入电容 (Ciss) 达到最大值 793pF（在 15V 时），这在高速开关应用中提供了良好的电气特性。
应用场景 PMV50EPEAR 广泛应用于各种电子设备的电源管理、电机控制和开关转换器等场合。具体应用包括但不限于手机充电器、LED 驱动电源、直流-直流转换器以及负载开关等。
总结 PMV50EPEAR 作为一款高效的 P沟道 MOSFET，凭借其在小型封装中的优越电气性能和宽广的应用温度范围，成为设计工程师和开发者们在进行电源管理、信号开关等领域时的理想选择。其低导通电阻、高速响应和适应多种工作环境的能力，确保了在各种复杂工作条件下的可靠性与性能。因此，无论是用于消费电子、工业控制还是汽车电子，PMV50EPEAR 都是一款值得信赖的选择。