PMV75UP,215
PMV75UP,215参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 102 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 490mW（Ta），5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 10V |
PMV75UP,215手册
PMV75UP,215概述
产品概述：PMV75UP,215 P沟道MOSFET
概述
PMV75UP,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件专为现代电子设计而开发，提供出色的电气性能和高效率，适用于多种应用场景，包括功率管理、开关电源，以及各种需要低导通电阻的负载控制与驱动方案。
主要特点
高连续漏极电流：PMV75UP,215 在室温下（25°C）提供高达 2.5A 的连续漏极电流，使其适合于处理中等电流负载，满足大多数应用的需求。
低导通电阻：该器件的导通电阻（Rds(on)）在最大情况下为 102 毫欧，测试时条件为 Id = 2.5A，Vgs = 4.5V。这一特性极大地降低了在工作时的能量损失，提高了整体系统效率。
宽广的工作温度范围：PMV75UP,215 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适应各种恶劣环境的要求，使其可以在工业、汽车和通信等领域正常工作。
高耐压能力：漏源电压(Vdss)达 20V，确保能够承受较高的电压冲击，适合多样的电源管理应用。
适用于低电压驱动：该器件的 Vgs(th) 最大值为 900mV（@ 250µA），并支持 1.8V 和 4.5V 的驱动电压调节，方便与不同逻辑电平的控制信号兼容。
紧凑的封装设计：采用 TO-236AB 封装（SOT-23-3），优化了PCB布局空间，易于在紧凑型设计中应用，有助于降低整体产品体积。
应用场景
PMV75UP,215 能够广泛应用于以下领域：
电源管理：在 DC-DC 转换器和功率分配模块中，PMV75UP,215 是一种有效的开关元件，可以实现高效率的电源转换，最大限度地减少能量损耗。
开关控制：凭借其快速开关特性，该 MOSFET 能够在各种电子开关电路中提供高效控制，如电机驱动和灯光控制等。
负载驱动：由于其高电流承载能力，PMV75UP,215 特别适合用于制动控制、电磁阀或继电器等负载的直接驱动。
性能参数
- 连续漏极电流 (Id): 2.5A (Ta)
- 最大 Rds(on): 102 mΩ @ 2.5A, 4.5V
- 最大 Vgs(th): 900 mV @ 250µA
- 最大 Vgs: ±12V
- 功率耗散: 490 mW (Ta), 5W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入电容 (Ciss): 550 pF @ 10V
- 栅极电荷 (Qg): 7.5 nC @ 4.5V
结论
总体而言，PMV75UP,215 以其优秀的电气特性和可靠性，成为当代电子设计中不可或缺的重要元器件之一。无论是在低功耗应用还是在要求严苛的工业环境中，其都能提供卓越的表现，是设计工程师们的理想选择。其紧凑的封装和出色的性能使得 PMV75UP,215 在各种现代电子设备中有着广泛的应用前景。