制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 79.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10.9 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 152W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2.258nF @ 50V |
PSMN011-100YSFX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由 Nexperia USA Inc. 生产。该元器件的设计旨在满足高功率和高效率的电子应用需求,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动、电池管理系统等领域。
PSMN011-100YSFX 具有以下几个重要的性能优势:
PSMN011-100YSFX 广泛应用于多种电子电路和系统中,具体应用场景包括但不限于:
总之,PSMN011-100YSFX 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,结合了高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围,适合于多种要求高效和高功率的应用。其出色的性能参数使得它在现代电子设计中成为一个可靠的选择,能够满足日益提升的电力与能效需求。选择 PSMN011-100YSFX,将为您的电子设计提供强大的性能保障,助力产品在市场中获得竞争优势。