PSMN011-80YS,115
PSMN011-80YS,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 67A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 117W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2800pF @ 40V |
PSMN011-80YS,115手册
PSMN011-80YS,115概述
PSMN011-80YS,115 产品概述
一、产品基本信息
PSMN011-80YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于 LFPAK56-5 封装类型。这款 MOSFET 具备在宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）内稳定可靠的性能。其主要特点包括低导通电阻、高漏极电流能力和优良的热性能，使其在多种电子应用中脱颖而出。
二、产品特性
高电流承载能力： PSMN011-80YS,115 的额定连续漏极电流为 67A（在假设的热情况下），使其适合高功率应用，例如电源管理和电动机驱动等。
低导通电阻： 在 10V 的栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻为 11 毫欧（在 25A 的电流下），这使得其在工作时能够显著减少能量损耗，并提升整体系统效率。
宽电压范围： PSMN011-80YS,115 的漏源电压（Vdss）高达 80V，这使其适合在高电压环境下工作，能够满足多种高压电路的设计需求。
良好的开关性能： 栅极电荷（Qg）最大为 45nC（在 10V 时），低开关损耗特性为高速开关应用提供了不少优势。产品的输入电容（Ciss）为 2800pF（在 40V 时），确保了快速的响应时间。
高功率耗散能力： 最大功率耗散可达 117W（在 Tc 时），这使得 PSMN011-80YS,115 能够在严格的热管理条件下稳定运行。
稳健的工作温度范围： 它可以在极端环境下工作，不仅在低温 (-55°C) 下保持性能稳定，还能够在高温（175°C）条件下提供可靠的电气特性。
适用于表面贴装： LFPAK56 封装形式使该 MOSFET 易于在现代电子设备中进行表面贴装，适合于高密度 PCB 设计。
三、应用领域
PSMN011-80YS,115 的设计优点使其广泛应用于以下领域：
电源管理： 用于 DC-DC 转换器、网络电源、开关电源等高效的电源管理解决方案。
电动机驱动： 在驱动电动机的电路中，能够提供快速开关和高电流承载能力，满足电动机控制的需求。
汽车电子： 可用于电动控制系统、电池管理系统 (BMS)、DC-DC 转换等多种汽车电气系统中，符合汽车行业的严格要求。
工业控制： 适用于工厂自动化过程中针对电机、阀门控制等多种工业应用模块。
四、总结
PSMN011-80YS,115 是一款结合了高性能与高可靠性的 N 通道 MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及宽广的工作温度范围，这款产品在多种应用场景中均表现优异，为现代电子市场提供了一个优秀的解决方案。无论是在高效的电源管理电路，还是在严苛的工业和汽车应用中，PSMN011-80YS,115 都能够以其卓越的性能，满足设计师和工程师的各种需求。