PSMN013-80YS,115

产品概述：PSMN013-80YS,115

一、基本信息

PSMN013-80YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 研发和制造的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件广泛应用于电源管理、功率开关和其他电子电路中，凭借其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围，在消费电子、工业自动化、汽车电子等多个领域中得到了广泛应用。

二、规格与性能

1. 制程技术
   PSMN013-80YS,115 采用先进的 MOSFET 技术，具备优秀的导通特性和转换特性，能够有效降低功耗。

2. 封装类型
   该产品采用 LFPAK56 封装方案，体积小巧且适合表面贴装（SMD），在有限的空间内实现高功率密度。此外，其封装设计增强了散热性能，使得在高负载条件下仍能稳定工作。

3. 电气特性

   • 最大漏极电流（Id）: 60A（在 Tc=25°C 时），使其可以在高负载情况下稳定运行，适合对电流需求较高的应用。
   • 漏源电压（Vdss）: 80V，满足大多数高电压应用的需求。
   • 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的驱动电压下，典型值为 12.9 毫欧，能够有效减少开关损耗和热量。
   • 栅源电压（Vgs）: 最高可达 ±20V，提供更大的设计灵活性。
   • 栅极电荷（Qg）: 在 10V 时最大为 37nC，表明该器件具有较低的驱动损耗，适合高频开关应用。

4. 热性能

   • 功率耗散（Pd）: 最大为 106W，能够在要求较高功率输出的应用中保证稳定性和安全性。
   • 工作温度范围: -55°C 到 175°C 的工作温度适应性，使其在极端环境下也能可靠运行。

5. 电容特性

   • 输入电容 Ciss 最大值为 2420pF（在 40V 下测得），这意味着在高频操作中能够实现高效的信号传输和切换。

6. 开启阈值电压（Vgs(th)）: 最大为 4V（在 1mA 电流时），提供灵敏的开关特性，能够有效控制器件的开启和关闭。

三、应用领域

PSMN013-80YS,115 的优越性能使其在众多应用中表现出色：

• 电源开关: 常见于 DC-DC 转换器和电源模块中，能够高效地控制电源的流动，保障系统运行稳定。
• 电动机驱动: 在工业自动化和电动车领域，可用作电动机驱动的开关元件，具备快速的开关能力和高效的能量转换。
• 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围和高可靠性，适合用于汽车中各种电气系统，如电池管理系统（BMS）和功率转换器。
• 消费电子: 在各种便携式设备和家用电器中作为功率管理器件，对续航和效率提升有积极作用。

四、总结

PSMN013-80YS,115 是一款具有高电流、高压及低导通电阻优势的 N 通道 MOSFET，适合各种高性能电子设备的应用。其卓越的热性能与宽广的工作温度范围，使其在严苛环境下也能保持稳定工作，是现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。由于其灵活的封装形式与优异的电气特性，PSMN013-80YS,115 适合于各种工业、汽车及消费类电子产品，为用户提供了更为有效的解决方案。