PSMN030-150P,127
PSMN030-150P,127参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3680pF @ 25V |
PSMN030-150P,127手册
PSMN030-150P,127概述
PSMN030-150P,127 产品概述
制造商与系列定位
PSMN030-150P,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。作为 TrenchMOS™ 系列的一员，该器件采用了尖端的截面技术和工艺设计，旨在满足更广泛的应用需求。这款器件的设计充分考虑了功率损耗、导通电阻以及高温工作环境下的可靠性，使其在市场上具有竞争力。
主要技术规格
PSMN030-150P,127 在关键参数上表现出色：
电流能力：该 MOSFET 能够在 25°C 时承受高达 55.5A 的连续漏极电流，确保在多数应用中能够稳定供电。
导通电阻和驱动电压：在 10V 的驱动电压下，这款 MOSFET 的最大导通电阻仅为 30 毫欧（在 25A 时测得），保证了低功率损耗和高效率，对于电源管理、电动机控制等应用尤为重要。
栅极阈值电压：在 1mA 的电流下，Vgs(th) 的最大值为 4V，提供了良好的驱动灵敏度。
最高漏源电压：PSMN030-150P,127 的漏源电压（Vdss）为 150V，使其能承受高电压应用场景，适用于各类高压电源转换。
工作温度范围广：该器件的工作温度范围在 -55°C 到 175°C 之间，使其适合极端环境中的应用，弥补了传统 MOSFET 在高温条件下的不稳定性。
功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散可达 250W，这也进一步增强了其在大功率应用中的实用性。
输入电容与栅极电荷：在 25V 时，其输入电容（Ciss）为 3680pF，而在 10V 的驱动下，栅极电荷（Qg）最大为 98nC，适合快速开关体和高频操作的要求。
封装与安装
PSMN030-150P,127 采用了 TO-220-3 封装，这是一种广泛应用于功率元件的封装类型。它的通孔安装设计不仅方便用户操作，而且利于散热性能的提升，确保器件在高功率和高温环境下的长期稳定运行。
应用领域
PSMN030-150P,127 的出色特性使之适用于多种电子应用场景，包括但不限于：
- 电源转换器（DC-DC 转换器、AC-DC 转换器）
- 电动机驱动和控制
- 开关电源（SMPS）
- 可再生能源（如太阳能逆变器）
- 汽车电子（例如电动汽车、混合动力汽车中的动力管理系统）
总结
综上所述，PSMN030-150P,127 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，它具备优越的电气性能和广泛的应用适用性。凭借其杰出的导通电阻、宽广的工作温度范围以及显著的功率耗散能力，PSMN030-150P,127 成为各种高要求工业和消费类电子产品的理想选择。其在高效能和可靠性方面的突出表现使其在未来的电子设计中脱颖而出。