注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PSMN059-150Y,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56-5
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 113W 150V 43A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.2按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.2
--
50+
￥5.17
--
750+
￥4.7
--
9000+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN059-150Y,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 113W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1529pF @ 30V |
PSMN059-150Y,115手册
无数据
PSMN059-150Y,115概述
产品概述：PSMN059-150Y,115
1. 产品简介
PSMN059-150Y,115 是一款高性能 N 通道 MOSFET （金属氧化物半导体场效应管），由知名制造商 Nexperia USA Inc. 生产。该产品是一款有源电子元器件，广泛应用于电源管理、开关电源和各种高功率应用场合。凭借其优异的电气特性和耐用性，PSMN059-150Y,115 是高效能电子电路设计中的理想选择。
2. 关键特性
- 工作电流及功率: PSMN059-150Y,115 在 25°C 温度下可连续承受 43A 的漏极电流，这使其非常适合高电流应用。其最大功率耗散能力为 113W，确保即使在高负载条件下也能安全运行。
- 电压规格: 该元件的漏极源极最大电压为 150V，使其在较高电压应用中表现出色，并可以处理大多数电源系统中的过压情况。
- 导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为 59 毫欧（@ 12A），表明其在开启状态下阻抗极低，有助于降低功耗和提高整体能效。
- 栅极阈值电压: Vgs(th) 最大值为 4V（@ 1mA），这意味着在较低的栅极电压下即可有效导通，使其在低电压驱动条件下同样表现优异。
3. 封装与安装
PSMN059-150Y,115 采用 LFPAK56 封装，提供优良的散热性能并适合表面贴装（SMD）技术，便于在现代电子设备中集成。这种封装设计能够有效减少安装空间，同时提升电路板的整体布局灵活性。
4. 应用领域
由于其卓越的电气特性，PSMN059-150Y,115 可以广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）: 高效率的电源转换和管理，降低能源损耗，提高系统的整体反馈。
- 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）: 在电源管理及电动机驱动中作为开关元件。
- 电机控制: 适用于各种电机会电路中的高速开关转换。
- 高频应用: 由于其输入电容（Ciss）小（最大 1529pF @ 30V），适合用于高频信号的切换，从而支持高频负载的高效操作。
5. 环境与可用性
PSMN059-150Y,115 的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使得其在严酷的环境条件下仍能保持良好的性能，适用于航天、军事及工业应用。另外，该器件的易于获取性和制造商 Nexperia 提供的质量保证，使其成为设计师和工程师的可靠选择。
6. 总结
总体而言，PSMN059-150Y,115 是一款高效、稳定且可靠的 N 通道 MOSFET，具备诸多优越性能，能够在高流与高压条件下可靠工作。它适合多种复杂应用场景，并成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在电源管理、开关电源还是电机控制系统中，PSMN059-150Y,115 都能为产品提供出色的性能支持，是寻求高可靠性和高效率电子元件的首选产品。