PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 198W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 127nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8845pF @ 20V |
PSMN1R0-40YLDX手册
PSMN1R0-40YLDX概述
PSMN1R0-40YLDX 产品概述
基本信息
PSMN1R0-40YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道MOSFET（MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），具有卓越的电流承载能力和低导通电阻特性。该器件采用 LFPAK56 封装，并且设计用于满足多种高功率应用的需求。PSMN1R0-40YLDX 的关键参数使其在电源转换、电动汽车、工业控制和其他高频开关电源系统中表现出色。
主要特性
高电流承载能力: PSMN1R0-40YLDX 在 25°C 时的连续漏极电流为 100A，在适当的散热条件下，能够支持更高的瞬时电流（最大可达 280A），彰显出该器件的强大能力，能够轻松应对高强度的工作负荷。
低导通电阻: 该器件在 10V 处的导通电阻（Rds(on)）最大值为 1.1 毫欧，意味着在工作过程中能够有效降低功率损耗，提高整体能效。
宽工作温度范围: PSMN1R0-40YLDX 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保在极端环境下也能稳定运行，是各种恶劣条件下应用的理想选择。
高功率耗散能力: 该 MOSFET 的最大功率耗散值为 198W，这使得它非常适合于高功率、电流密集的应用场景。
广泛的栅极驱动电压: 该器件的最大 Vgs 可达 ±20V，满足不同的驱动需求，最大 Rds(on) 驱动电压为 10V，支持多种应用型号并具有较好的灵活性。
低栅极电荷和输入电容: PSMN1R0-40YLDX 的栅极电荷（Qg）最大为 127nC，输入电容（Ciss）最大为 8845pF。这些参数使得开关速度快，适合在高频开关应用中使用，减少开关损失，提高效率。
应用场景
PSMN1R0-40YLDX 的设计使其广泛适用于以下领域：
- 开关电源: 在电源管理和转换系统中提供高效的开关性能，满足不同电流和电压需求。
- 电动汽车: 作为动力控制和能量转换的关键元件，能够应对电动汽车中对功率和性能的严格要求。
- 工业自动化: 支持快速开关和高负载控制在工业设备中的应用，为各种电气控制系统提供可靠保障。
- UPS（不间断电源）系统: 在不间断电源系统中，提供必要的电流转换效率和可靠性，以满足负载需求。
封装与安装
PSMN1R0-40YLDX 采用 LFPAK-56 封装，这是一种表面贴装型封装，适合现代电子设备的紧凑布局需求。LFPAK-56 封装的设计有助于显著提高散热性能，优化产品的整体热管理。
总结
综上所述，PSMN1R0-40YLDX 是一款令人印象深刻的 N 通道 MOSFET，具有高电流处理能力、低导通电阻、宽温度范围及杰出的可靠性。凭借其卓越的性能和适应性，PSMN1R0-40YLDX 能够满足高功率电子应用的需求，是设计工程师在选择功率管理器件时推荐的优选方案。无论是在电动汽车、开关电源还是工业自动化领域，该元件都能够有效提升系统的效率与稳定性。