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PSMN1R2-30YLC,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56-5
包装 :
编带
重量 :
0.126g
描述 :
场效应管(MOSFET) 215W 30V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.41按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.41
--
50+
￥6.18
--
750+
￥5.62
--
9000+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN1R2-30YLC,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 215W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5093pF @ 15V |
PSMN1R2-30YLC,115手册
无数据
PSMN1R2-30YLC,115概述
产品概述：PSMN1R2-30YLC,115
一、基本信息
PSMN1R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高效能 N 通道 MOSFET，特别设计用于各类高频率和高功率应用。该器件采用卷带（TR）封装，适合表面贴装技术（SMD），可以大幅度提升电路的集成度与性能。
二、器件特性
电流与电压规格
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受高达 100A 的电流，适用范围广泛，尤其是在高负载应用中表现良好。
- 漏源电压 (Vdss)：该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，符合多种电源管理及控制应用的要求。
导通电阻和驱动电压
- Rds(on)：在 10V 的栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻为 1.25 毫欧（@ 25A），极低的导通电阻使其能够实现更高的效率和较低的功耗。
- 驱动电压 (Vgs)：为了保证器件在高效工作下，驱动范围为 4.5V 至 10V，适应不同的电路需求。
三、热管理和功率耗散
- 功率耗散 (Pd)：PSMN1R2-30YLC,115 的最大功率耗散为 215W（Tc），在长时间运行过程中能够有效控制温升，提高系统的稳定性及寿命。
- 工作温度范围：该器件在 -55°C 至 175°C 的工作温度区间内均能正常运作，适用于严格环境下的应用。
四、动态参数
- 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的驱动下，栅极电荷为 78nC，低栅极电荷值使得驱动电路的损耗更低，响应速度更快。
- 输入电容 (Ciss)：在 15V 的漏源电压下，输入电容达到了 5093pF，适合高开关频率应用，增强了系统的响应能力。
五、应用场景
PSMN1R2-30YLC,115 MOSFET 适合用于以下领域：
- DC-DC 转换器：在开关电源中提供必要的开关性能，降低系统的能量损耗，提升能效。
- 电动车辆与电池管理系统：能够承受高电流，适用于电动汽车中对软件及硬件的集成的可靠性需求。
- 工业控制：在自动化设备中，能够高效控制电动机和其它负载，确保系统的可靠性与经济性。
- 电源管理：用于多种电源适配器及相关设备中，保障电压及电流的稳定和安全。
六、封装特性
PSMN1R2-30YLC,115 器件采用 LFPAK56-5 封装，这种封装设计优化了热管理及空间利用，使其在高功率应用中能够更好地散热，减小占板空间的同时提高散热效率，适合于密集布线的工业和消费电子产品。
结论
PSMN1R2-30YLC,115 是一款高性能、低导通电阻、广泛应用的 N 通道 MOSFET，非常适合现代电子设计中的多种高功率及高频率应用。凭借其优异的电气性能和宽广的工作温度范围，这款 MOSFET 无疑将成为电源管理、工业自动化以及电动车辆等领域的重要组成部分。